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चीन SiC एपिटैक्सी प्रक्रिया निर्माता, आपूर्तिकर्ता, फ़ैक्टरी

VeTek सेमीकंडक्टर की अनूठी कार्बाइड कोटिंग्स सेमीकंडक्टर और मिश्रित सेमीकंडक्टर सामग्री की मांग के प्रसंस्करण के लिए SiC एपिटैक्सी प्रक्रिया में ग्रेफाइट भागों के लिए बेहतर सुरक्षा प्रदान करती हैं। इसके परिणामस्वरूप ग्रेफाइट घटक का जीवन विस्तारित होता है, प्रतिक्रिया स्टोइकोमेट्री का संरक्षण होता है, एपिटेक्सी और क्रिस्टल विकास अनुप्रयोगों में अशुद्धता प्रवासन में बाधा आती है, जिसके परिणामस्वरूप उपज और गुणवत्ता में वृद्धि होती है।

हमारी टैंटलम कार्बाइड (TaC) कोटिंग्स महत्वपूर्ण भट्टी और रिएक्टर घटकों को गर्म अमोनिया, हाइड्रोजन, सिलिकॉन वाष्प और पिघली हुई धातुओं से उच्च तापमान (2200°C तक) पर बचाती हैं। वीटेक सेमीकंडक्टर के पास आपकी अनुकूलित आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए ग्रेफाइट प्रसंस्करण और माप क्षमताओं की एक विस्तृत श्रृंखला है, इसलिए हम आपके और आपके विशिष्ट एप्लिकेशन के लिए सही समाधान डिजाइन करने के लिए तैयार विशेषज्ञ इंजीनियरों की हमारी टीम के साथ शुल्क-भुगतान कोटिंग या पूर्ण-सेवा की पेशकश कर सकते हैं। .

यौगिक अर्धचालक क्रिस्टल

VeTek सेमीकंडक्टर विभिन्न घटकों और वाहकों के लिए विशेष TaC कोटिंग प्रदान कर सकता है। वीटेक सेमीकंडक्टर की उद्योग की अग्रणी कोटिंग प्रक्रिया के माध्यम से, टीएसी कोटिंग उच्च शुद्धता, उच्च तापमान स्थिरता और उच्च रासायनिक प्रतिरोध प्राप्त कर सकती है, जिससे क्रिस्टल टीएसी/जीएएन) और ईपीएल परतों की उत्पाद गुणवत्ता में सुधार होता है, और महत्वपूर्ण रिएक्टर घटकों के जीवनकाल का विस्तार होता है।

थर्मल इन्सुलेटर

क्रूसिबल, बीज धारक, डिफ्लेक्टर और फिल्टर सहित SiC, GaN और AlN क्रिस्टल विकास घटक। प्रतिरोधक हीटिंग तत्व, नोजल, परिरक्षण रिंग और ब्रेज़िंग फिक्स्चर, GaN और SiC एपिटैक्सियल CVD रिएक्टर घटकों सहित वेफर कैरियर, सैटेलाइट ट्रे, शॉवर हेड, कैप और पेडस्टल, MOCVD घटकों सहित औद्योगिक असेंबली।


उद्देश्य:

एलईडी (लाइट एमिटिंग डायोड) वेफर कैरियर

ALD (सेमीकंडक्टर) रिसीवर

ईपीआई रिसेप्टर (SiC एपिटैक्सी प्रक्रिया)


SiC कोटिंग और TaC कोटिंग की तुलना:

सिक टीएसी
मुख्य विशेषताएं अति उच्च शुद्धता, उत्कृष्ट प्लाज्मा प्रतिरोध उत्कृष्ट उच्च तापमान स्थिरता (उच्च तापमान प्रक्रिया अनुरूपता)
पवित्रता >99.9999% >99.9999%
घनत्व (जी/सेमी 3) 3.21 15
कठोरता (किलो/मिमी 2) 2900-3300 6.7-7.2
प्रतिरोधकता [Ωcm] 0.1-15,000 <1
तापीय चालकता (W/m-K) 200-360 22
थर्मल विस्तार का गुणांक (10-6/℃) 4.5-5 6.3
आवेदन सेमीकंडक्टर उपकरण सिरेमिक जिग (फोकस रिंग, शावर हेड, डमी वेफर) SiC सिंगल क्रिस्टल ग्रोथ, एपी, यूवी एलईडी उपकरण पार्ट्स


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एलपीई के लिए टैंटलम कार्बाइड लेपित हाफमून पार्ट

एलपीई के लिए टैंटलम कार्बाइड लेपित हाफमून पार्ट

VeTek सेमीकंडक्टर चीन में LPE निर्माता और प्रर्वतक के लिए एक बड़े पैमाने पर टैंटलम कार्बाइड लेपित हाफमून पार्ट है। हम कई वर्षों से TaC कोटिंग में विशेषज्ञता प्राप्त कर चुके हैं। हमारे उत्पाद 2000 डिग्री सेल्सियस से ऊपर तापमान का सामना कर सकते हैं, उपभोग्य सामग्रियों के जीवनकाल को बढ़ा सकते हैं। हम आगे देखते हैं चीन में आपका दीर्घकालिक भागीदार बनने के लिए।

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टैंटलम कार्बाइड लेपित ग्रहीय घूर्णन डिस्क

टैंटलम कार्बाइड लेपित ग्रहीय घूर्णन डिस्क

VeTek सेमीकंडक्टर चीन में एक अग्रणी टैंटलम कार्बाइड लेपित प्लैनेटरी रोटेशन डिस्क निर्माता और प्रर्वतक है। हम कई वर्षों से सिरेमिक कोटिंग में विशेषज्ञता रखते हैं। हमारे उत्पादों में उच्च शुद्धता और उच्च तापमान प्रतिरोध है। हम आपके दीर्घकालिक भागीदार बनने के लिए तत्पर हैं चीन।

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चीन में एक पेशेवर SiC एपिटैक्सी प्रक्रिया निर्माता और आपूर्तिकर्ता के रूप में, हमारा अपना कारखाना है। चाहे आपको अपने क्षेत्र की विशिष्ट आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए अनुकूलित सेवाओं की आवश्यकता हो या आप चीन में निर्मित उन्नत और टिकाऊ SiC एपिटैक्सी प्रक्रिया खरीदना चाहते हों, आप हमें एक संदेश छोड़ सकते हैं।
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