एलपीई रिएक्टर फैक्ट्री के लिए 8 इंच हाफमून पार्ट

टैंटलम कार्बाइड लेपित प्लैनेटरी रोटेशन डिस्क निर्माता

LPE PE2061S आपूर्तिकर्ता के लिए SiC लेपित बैरल ससेप्टर

टैंटलम कार्बाइड कोटिंग

वीटेक सेमीकंडक्टर सेमीकंडक्टर उद्योग के लिए टैंटलम कार्बाइड कोटिंग सामग्री का अग्रणी निर्माता है। हमारे मुख्य उत्पाद प्रस्तावों में सीवीडी टैंटलम कार्बाइड कोटिंग पार्ट्स, सीआईसी क्रिस्टल विकास या सेमीकंडक्टर एपिटैक्सी प्रक्रिया के लिए सिंटेड टीएसी कोटिंग पार्ट्स शामिल हैं। ISO9001 पारित, VeTek सेमीकंडक्टर का गुणवत्ता पर अच्छा नियंत्रण है। वीटेक सेमीकंडक्टर पुनरावृत्त प्रौद्योगिकियों के चल रहे अनुसंधान और विकास के माध्यम से टैंटलम कार्बाइड कोटिंग उद्योग में प्रर्वतक बनने के लिए समर्पित है।

मुख्य उत्पाद हैंटैंटलम कार्बाइड कोटिंग डिफेक्टर रिंग, TaC कोटेड डायवर्जन रिंग, TaC कोटेड हाफमून पार्ट्स, टैंटलम कार्बाइड कोटेड प्लैनेटरी रोटेशन डिस्क (Aixtron G10), TaC कोटेड क्रूसिबल; TaC लेपित छल्ले; TaC लेपित झरझरा ग्रेफाइट; टैंटलम कार्बाइड कोटिंग ग्रेफाइट सुसेप्टर; TaC लेपित गाइड रिंग; TaC टैंटलम कार्बाइड लेपित प्लेट; TaC लेपित वेफर सुसेप्टर; TaC कोटिंग रिंग; TaC कोटिंग ग्रेफाइट कवर; TaC लेपित हिस्साआदि, शुद्धता 5ppm से कम है, ग्राहकों की आवश्यकताओं को पूरा कर सकता है।

TaC कोटिंग ग्रेफाइट एक मालिकाना रासायनिक वाष्प जमाव (CVD) प्रक्रिया द्वारा टैंटलम कार्बाइड की एक महीन परत के साथ उच्च शुद्धता वाले ग्रेफाइट सब्सट्रेट की सतह को कोटिंग करके बनाया जाता है। लाभ नीचे चित्र में दिखाया गया है:

Excellent properties of TaC coating graphite

टैंटलम कार्बाइड (TaC) कोटिंग ने 3880°C तक के अपने उच्च गलनांक, उत्कृष्ट यांत्रिक शक्ति, कठोरता और थर्मल झटके के प्रतिरोध के कारण ध्यान आकर्षित किया है, जिससे यह उच्च तापमान आवश्यकताओं के साथ यौगिक अर्धचालक एपिटेक्सी प्रक्रियाओं का एक आकर्षक विकल्प बन गया है। जैसे ऐक्सट्रॉन एमओसीवीडी सिस्टम और एलपीई सीआईसी एपिटैक्सी प्रक्रिया। इसका पीवीटी विधि सीआईसी क्रिस्टल विकास प्रक्रिया में भी व्यापक अनुप्रयोग है।

प्रमुख विशेषताऐं:

●तापमान स्थिरता

●अति उच्च शुद्धता

●H2, NH3, SiH4,Si का प्रतिरोध

●थर्मल स्टॉक का प्रतिरोध

●ग्रेफाइट पर मजबूत आसंजन

●अनुरूप कोटिंग कवरेज

● 750 मिमी व्यास तक का आकार (चीन में एकमात्र निर्माता इस आकार तक पहुंचता है)

अनुप्रयोग:

●वेफर वाहक

● आगमनात्मक ताप संग्राहक

● प्रतिरोधक ताप तत्व

●सैटेलाइट डिस्क

●शावर का फव्वारा

●मार्गदर्शक अंगूठी

●एलईडी एपी रिसीवर

●इंजेक्शन नोजल

●मास्किंग रिंग

● हीट शील्ड

सूक्ष्म क्रॉस-सेक्शन पर टैंटलम कार्बाइड (TaC) कोटिंग:

the microscopic cross-section of Tantalum carbide (TaC) coating

वीटेक सेमीकंडक्टर टैंटलम कार्बाइड कोटिंग का पैरामीटर:

TaC कोटिंग के भौतिक गुण
घनत्व	14.3 (ग्राम/सेमी³)
विशिष्ट उत्सर्जन	0.3
थर्मल विस्तार गुणांक	6.3 10^-6/के
कठोरता (एचके)	2000 एच.के
प्रतिरोध	1×10^-5ओम*सेमी
तापीय स्थिरता	<2500℃
ग्रेफाइट का आकार बदल जाता है	-10~-20um
कोटिंग की मोटाई	≥20um विशिष्ट मान (35um±10um)

TaC कोटिंग EDX डेटा：

EDX data of TaC coating

TaC कोटिंग क्रिस्टल संरचना डेटा:

तत्व	परमाणु प्रतिशत
	पं. 1	पं. 2	पं. 3	औसत
सी के	52.10	57.41	52.37	53.96
उन्हें	47.90	42.59	47.63	46.04

TaC कोटिंग चक TaC कोटिंग प्लैनेटरी डिस्क TaC लेपित प्लेट TaC कोटिंग रोटेशन प्लेट TaC कोटिंग रिसीवर सीवीडी टैसी कोटिंग कवर सीवीडी टीएसी कोटिंग रिंग TaC कोटिंग प्लेट

सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग

VeTek सेमीकंडक्टर अल्ट्रा शुद्ध सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग उत्पादों के उत्पादन में माहिर है, इन कोटिंग्स को शुद्ध ग्रेफाइट, सिरेमिक और दुर्दम्य धातु घटकों पर लागू करने के लिए डिज़ाइन किया गया है।

हमारी उच्च शुद्धता वाली कोटिंग्स मुख्य रूप से सेमीकंडक्टर और इलेक्ट्रॉनिक्स उद्योगों में उपयोग के लिए लक्षित हैं। वे वेफर कैरियर्स, ससेप्टर्स और हीटिंग तत्वों के लिए एक सुरक्षात्मक परत के रूप में काम करते हैं, जो उन्हें एमओसीवीडी और ईपीआई जैसी प्रक्रियाओं में आने वाले संक्षारक और प्रतिक्रियाशील वातावरण से बचाते हैं। ये प्रक्रियाएँ वेफ़र प्रसंस्करण और उपकरण निर्माण का अभिन्न अंग हैं। इसके अतिरिक्त, हमारी कोटिंग्स वैक्यूम भट्टियों और नमूना हीटिंग में अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त हैं, जहां उच्च वैक्यूम, प्रतिक्रियाशील और ऑक्सीजन वातावरण का सामना करना पड़ता है।

वीटेक सेमीकंडक्टर में, हम अपनी उन्नत मशीन शॉप क्षमताओं के साथ एक व्यापक समाधान प्रदान करते हैं। यह हमें ग्रेफाइट, सिरेमिक, या दुर्दम्य धातुओं का उपयोग करके आधार घटकों का निर्माण करने और घर में SiC या TaC सिरेमिक कोटिंग्स लगाने में सक्षम बनाता है। हम विभिन्न आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए लचीलापन सुनिश्चित करते हुए, ग्राहक द्वारा आपूर्ति किए गए भागों के लिए कोटिंग सेवाएं भी प्रदान करते हैं।

हमारे सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग उत्पादों का व्यापक रूप से सी एपिटैक्सी, सीआईसी एपिटैक्सी, एमओसीवीडी सिस्टम, आरटीपी/आरटीए प्रक्रिया, नक़्क़ाशी प्रक्रिया, आईसीपी/पीएसएस नक़्क़ाशी प्रक्रिया, नीले और हरे एलईडी, यूवी एलईडी और डीप-यूवी सहित विभिन्न एलईडी प्रकारों की प्रक्रिया में उपयोग किया जाता है। LED इत्यादि, जो LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI इत्यादि के उपकरणों के लिए अनुकूलित है।

रिएक्टर भाग हम कर सकते हैं:

सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग के कई अनूठे फायदे हैं:

Silicon Carbide Coating several unique advantages

वीटेक सेमीकंडक्टर सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग पैरामीटर:

CVD SiC कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण
संपत्ति	विशिष्ट मूल्य
क्रिस्टल की संरचना	एफसीसी β चरण पॉलीक्रिस्टलाइन, मुख्य रूप से (111) उन्मुख
घनत्व	3.21 ग्राम/सेमी³
कठोरता	2500 विकर्स कठोरता (500 ग्राम लोड)
अनाज आकार	2~10μm
रासायनिक शुद्धता	99.99995%
ताप की गुंजाइश	640 जे·किग्रा-1·के-1
उर्ध्वपातन तापमान	2700℃
आनमनी सार्मथ्य	415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट
यंग का मापांक	430 जीपीए 4पीटी बेंड, 1300℃
ऊष्मीय चालकता	300W·m-1·K-1
थर्मल विस्तार (सीटीई)	4.5×10-6K-1

SEM data and structure of CVD SIC films

वफ़र

वेफर सब्सट्रेटअर्धचालक एकल क्रिस्टल सामग्री से बना एक वेफर है। अर्धचालक उपकरणों का उत्पादन करने के लिए सब्सट्रेट सीधे वेफर निर्माण प्रक्रिया में प्रवेश कर सकता है, या एपिटैक्सियल वेफर्स का उत्पादन करने के लिए इसे एपिटैक्सियल प्रक्रिया द्वारा संसाधित किया जा सकता है।

वेफर सब्सट्रेट, सेमीकंडक्टर उपकरणों की बुनियादी सहायक संरचना के रूप में, सीधे उपकरणों के प्रदर्शन और स्थिरता को प्रभावित करता है। सेमीकंडक्टर डिवाइस निर्माण के लिए "नींव" के रूप में, सब्सट्रेट पर पतली फिल्म विकास और लिथोग्राफी जैसी विनिर्माण प्रक्रियाओं की एक श्रृंखला को पूरा करने की आवश्यकता होती है।

सब्सट्रेट प्रकारों का सारांश:

●एकल क्रिस्टल सिलिकॉन वेफर: वर्तमान में सबसे आम सब्सट्रेट सामग्री, जिसका व्यापक रूप से एकीकृत सर्किट (आईसी), माइक्रोप्रोसेसर, मेमोरी, एमईएमएस डिवाइस, पावर डिवाइस आदि के निर्माण में उपयोग किया जाता है;

●एसओआई सब्सट्रेट: उच्च-प्रदर्शन, कम-शक्ति वाले एकीकृत सर्किट, जैसे उच्च-आवृत्ति एनालॉग और डिजिटल सर्किट, आरएफ डिवाइस और पावर प्रबंधन चिप्स के लिए उपयोग किया जाता है;

●यौगिक अर्धचालक सबस्ट्रेट्स: गैलियम आर्सेनाइड सब्सट्रेट (GaAs): माइक्रोवेव और मिलीमीटर तरंग संचार उपकरण, आदि। गैलियम नाइट्राइड सब्सट्रेट (GaN): आरएफ पावर एम्पलीफायरों, HEMT, आदि के लिए उपयोग किया जाता है।सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट (SiC): इलेक्ट्रिक वाहनों, पावर कन्वर्टर्स और अन्य पावर उपकरणों के लिए उपयोग किया जाता है इंडियम फॉस्फाइड सब्सट्रेट (InP): लेजर, फोटोडिटेक्टर, आदि के लिए उपयोग किया जाता है;

●नीलमणि सब्सट्रेट: एलईडी विनिर्माण, आरएफआईसी (रेडियो फ्रीक्वेंसी इंटीग्रेटेड सर्किट), आदि के लिए उपयोग किया जाता है;

वेटेक सेमीकंडक्टर चीन में एक पेशेवर SiC सब्सट्रेट और SOI सब्सट्रेट आपूर्तिकर्ता है। हमारा4H अर्ध-इन्सुलेटिंग प्रकार SiC सब्सट्रेटऔर4H सेमी इंसुलेटिंग टाइप SiC सब्सट्रेटअर्धचालक विनिर्माण उपकरण के प्रमुख घटकों में व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है।

वेटेक सेमीकंडक्टर सेमीकंडक्टर उद्योग के लिए उन्नत और अनुकूलन योग्य वेफर सब्सट्रेट उत्पाद और विभिन्न विशिष्टताओं के तकनीकी समाधान प्रदान करने के लिए प्रतिबद्ध है। हम ईमानदारी से चीन में आपका आपूर्तिकर्ता बनने के लिए तत्पर हैं.

एएलडी

Thin film preparation processes can be divided into two categories according to their film forming methods: physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD), of which CVD process equipment accounts for a higher proportion. Atomic layer deposition (ALD) is one of the chemical vapor deposition (CVD).

Atomic layer deposition technology (Atomic Layer Deposition, referred to as ALD) is a vacuum coating process that forms a thin film on the surface of a substrate layer by layer in the form of a single atomic layer. ALD technology is currently being widely adopted by the semiconductor industry.

Atomic layer deposition process:

Atomic layer deposition usually includes a cycle of 4 steps, which is repeated as many times as needed to achieve the required deposition thickness. The following is an example of ALD of Al₂O₃, using precursor substances such as Al(CH₃) (TMA) and O₂.

Step 1) Add TMA precursor vapor to the substrate, TMA will adsorb on the substrate surface and react with it. By selecting appropriate precursor substances and parameters, the reaction will be self-limiting.

Step 2) Remove all residual precursors and reaction products.

Step 3) Low-damage remote plasma irradiation of the surface with reactive oxygen radicals oxidizes the surface and removes surface ligands, a reaction that is also self-limiting due to the limited number of surface ligands.

Step 4) Reaction products are removed from the chamber.

Only step 3 differs between thermal and plasma processes, with H₂O being used in thermal processes and O₂ plasma being used in plasma processes. Since the ALD process deposits (sub)-inch-thick films per cycle, the deposition process can be controlled at the atomic scale.

1st Half-Cycle Purge 2nd Half-Cycle Purge

Highlights of Atomic Layer Deposition (ALD):

1) Grow high-quality thin films with extreme thickness accuracy, and only grow a single atomic layer at a time

2) Wafer thickness can reach 200 mm, with typical uniformity <±2%

3) Excellent step coverage even in high aspect ratio structures

4) Highly fitted coverage

5) Low pinhole and particle levels

6) Low damage and low temperature process

7) Reduce nucleation delay

8) Applicable to a variety of materials and processes

Compared with traditional chemical vapor deposition (CVD) and physical vapor deposition (PVD), the advantages of ALD are excellent three-dimensional conformality, large-area film uniformity, and precise thickness control, etc. It is suitable for growing ultra-thin films on complex surface shapes and high aspect ratio structures. Therefore, it is widely applicable to substrates of different shapes and does not require control of reactant flow uniformity.

Comparison of the advantages and disadvantages of PVD technology, CVD technology and ALD technology:

PVD technology	CVD technology	ALD technology
Faster deposition rate	Average deposition rate	Slower deposition rate
Thicker film thickness, poor control of nano-level film thickness precision	Medium film thickness (depends on the number of reaction cycles)	Atomic-level film thickness
The coating has a single directionality	The coating has a single directionality	Good uniformity of large-area film thickness
Poor thickness uniformity	Average step coverage	Best step coverage
Poor step coverage	\	Dense film without pinholes

Advantages of ALD technology compared to CVD technology (Source: ASM)

Vetek Semiconductor is a professional ALD Susceptor products supplier in China. Our ALD Susceptor, SiC coating ALD susceptor and ALD Planetary Susceptor are widely used in key components of semiconductor manufacturing equipment. Vetek Semiconductor is committed to providing advanced and customizable ALD Susceptor products and technical solutions of various specifications for the semiconductor industry. We sincerely look forward to becoming your supplier in China.

विशेष रुप से प्रदर्शित प्रोडक्टस

हमारे बारे में

VeTek सेमीकंडक्टर टेक्नोलॉजी कं, लिमिटेड, 2016 में स्थापित, सेमीकंडक्टर उद्योग के लिए उन्नत कोटिंग सामग्री का एक अग्रणी प्रदाता है। हमारे संस्थापक, चाइनीज एकेडमी ऑफ साइंसेज इंस्टीट्यूट ऑफ मैटेरियल्स के पूर्व विशेषज्ञ, ने उद्योग के लिए अत्याधुनिक समाधान विकसित करने पर ध्यान केंद्रित करते हुए कंपनी की स्थापना की।

हमारी मुख्य उत्पाद पेशकश में शामिल हैंसीवीडी सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) कोटिंग्स, टैंटलम कार्बाइड (TaC) कोटिंग्स, थोक SiC, SiC पाउडर, और उच्च शुद्धता वाली SiC सामग्री. मुख्य उत्पाद SiC लेपित ग्रेफाइट ससेप्टर, प्रीहीट रिंग, TaC कोटेड डायवर्जन रिंग, हाफमून पार्ट्स आदि हैं, शुद्धता 5ppm से कम है, ग्राहकों की आवश्यकताओं को पूरा कर सकते हैं।