4H एन-प्रकार SiC सब्सट्रेट

वेटेक सेमीकंडक्टर4H एन-प्रकार SiC सब्सट्रेटउत्पादों में उत्कृष्ट विद्युत, तापीय और यांत्रिक गुण होते हैं, इसलिए इस उत्पाद का व्यापक रूप से अर्धचालक उपकरणों के प्रसंस्करण में उपयोग किया जाता है जिनके लिए उच्च शक्ति, उच्च आवृत्ति, उच्च तापमान और उच्च विश्वसनीयता की आवश्यकता होती है।

4H N-प्रकार SiC की ब्रेकडाउन विद्युत क्षेत्र की ताकत 2.2-3.0 MV/cm जितनी अधिक है। यह उत्पाद सुविधा उच्च वोल्टेज को संभालने के लिए छोटे उपकरणों के निर्माण की अनुमति देती है, इसलिए हमारे 4H एन-प्रकार SiC सब्सट्रेट का उपयोग अक्सर MOSFETs, Schotky और JFETs के निर्माण के लिए किया जाता है।

4H N-प्रकार SiC वेफर की तापीय चालकता लगभग 4.9 W/cm·K है, जो गर्मी को प्रभावी ढंग से नष्ट करने, गर्मी संचय को कम करने, डिवाइस के जीवन को बढ़ाने में मदद करती है, और उच्च शक्ति घनत्व अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है।

इसके अलावा, वीटेक सेमीकंडक्टर 4एच एन-टाइप सीआईसी वेफर अभी भी 600 डिग्री सेल्सियस तक के तापमान पर स्थिर इलेक्ट्रॉनिक प्रदर्शन कर सकता है, इसलिए इसका उपयोग अक्सर उच्च तापमान सेंसर बनाने के लिए किया जाता है और यह चरम वातावरण के लिए बहुत उपयुक्त है।

एन-टाइप सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट पर एक सिलिकॉन कार्बाइड एपिटैक्सियल परत विकसित करके, सिलिकॉन कार्बाइड होमोएपिटैक्सियल वेफर को एसबीडी, एमओएसएफईटी, आईजीबीटी इत्यादि जैसे बिजली उपकरणों में बनाया जा सकता है, जिनका उपयोग इलेक्ट्रिक वाहनों, रेल परिवहन, उच्च में किया जाता है। -बिजली पारेषण और परिवर्तन, आदि

वेटेक सेमीकंडक्टर ग्राहकों की जरूरतों को पूरा करने के लिए उच्च क्रिस्टल गुणवत्ता और प्रसंस्करण गुणवत्ता का प्रयास जारी रखता है। वर्तमान में, 6-इंच और 8-इंच दोनों उत्पाद उपलब्ध हैं। 6-इंच और 8-इंच SIC सबस्ट्रेट के मूल उत्पाद पैरामीटर निम्नलिखित हैं:

6 एलएनसीएच एन-टाइप सीआईसी सब्सट्रेट बुनियादी उत्पाद विनिर्देश:

8 एलएनसीएच एन-टाइप सीआईसी सब्सट्रेट बुनियादी उत्पाद विनिर्देश:

4H एन-टाइप SiC सब्सट्रेट डिटेक्शन विधि और शब्दावली: