उच्च शुद्धता SiC कैंटिलीवर पैडल

उच्च शुद्धता SiC कैंटिलीवर पैडल सेमीकंडक्टर प्रसंस्करण उपकरण में उपयोग किया जाने वाला एक प्रमुख घटक है। उत्पाद उच्च शुद्धता वाले सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) सामग्री से बना है। उच्च शुद्धता, उच्च तापीय स्थिरता और संक्षारण प्रतिरोध की अपनी उत्कृष्ट विशेषताओं के साथ, इसका व्यापक रूप से वेफर स्थानांतरण, समर्थन और उच्च तापमान प्रसंस्करण जैसी प्रक्रियाओं में उपयोग किया जाता है, जो प्रक्रिया सटीकता और उत्पाद की गुणवत्ता सुनिश्चित करने के लिए विश्वसनीय गारंटी प्रदान करता है।

आम तौर पर, उच्च शुद्धता SiC कैंटिलीवर पैडल अर्धचालक प्रसंस्करण प्रक्रिया में निम्नलिखित विशिष्ट भूमिका निभाता है:

वेफर स्थानांतरण: उच्च शुद्धता वाले SiC कैंटिलीवर पैडल का उपयोग आमतौर पर उच्च तापमान प्रसार या ऑक्सीकरण भट्टियों में वेफर ट्रांसफर डिवाइस के रूप में किया जाता है। इसकी उच्च कठोरता इसे पहनने के लिए प्रतिरोधी बनाती है और लंबे समय तक उपयोग के दौरान ख़राब होना आसान नहीं है, और यह सुनिश्चित कर सकती है कि स्थानांतरण प्रक्रिया के दौरान वेफर सटीक स्थिति में रहे। अपने उच्च तापमान और संक्षारण प्रतिरोध के साथ, यह वेफर्स को किसी भी संदूषण या क्षति के बिना उच्च तापमान वाले वातावरण में भट्ठी ट्यूब के अंदर और बाहर सुरक्षित रूप से स्थानांतरित कर सकता है।

वेफर समर्थन: SiC सामग्री में थर्मल विस्तार का गुणांक कम होता है, जिसका अर्थ है कि तापमान बदलने पर इसका आकार कम बदलता है, जो प्रक्रिया में सटीक नियंत्रण बनाए रखने में मदद करता है। रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) या भौतिक वाष्प जमाव (पीवीडी) प्रक्रियाओं में, वेफर को सहारा देने और ठीक करने के लिए SiC कैंटिलीवर पैडल का उपयोग किया जाता है ताकि यह सुनिश्चित किया जा सके कि जमाव प्रक्रिया के दौरान वेफर स्थिर और सपाट रहे, जिससे फिल्म की एकरूपता और गुणवत्ता में सुधार हो सके। .

उच्च तापमान प्रक्रियाओं का अनुप्रयोग: SiC कैंटिलीवर पैडल में उत्कृष्ट तापीय स्थिरता है और यह 1600°C तक तापमान का सामना कर सकता है। इसलिए, इस उत्पाद का व्यापक रूप से उच्च तापमान एनीलिंग, ऑक्सीकरण, प्रसार और अन्य प्रक्रियाओं में उपयोग किया जाता है।

उच्च शुद्धता SiC ब्रैकट पैडल के बुनियादी भौतिक गुण:

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