सिलिकॉन ऑन इंसुलेटर वेफर

के कार्य सिद्धांतवीटेक सेमीकंडक्टर'एससिलिकॉन ऑन इंसुलेटर वेफरयह मुख्य रूप से इसकी अनूठी संरचना और भौतिक गुणों पर निर्भर करता है। और SOI वेफरइसमें तीन परतें होती हैं: शीर्ष परत एक सिंगल-क्रिस्टल सिलिकॉन डिवाइस परत है, मध्य एक इंसुलेटिंग बरीड ऑक्साइड (BOX) परत है, और निचली परत एक सहायक सिलिकॉन सब्सट्रेट है।

इन्सुलेशन परत का गठन: सिलिकॉन ऑन इंसुलेटर वेफर आमतौर पर स्मार्ट कट™ तकनीक या सिमॉक्स (प्रत्यारोपित ऑक्सीजन द्वारा पृथक्करण) तकनीक का उपयोग करके निर्मित किया जाता है। स्मार्ट कट™ तकनीक बुलबुला परत बनाने के लिए सिलिकॉन वेफर में हाइड्रोजन आयनों को इंजेक्ट करती है, और फिर हाइड्रोजन-इंजेक्टेड वेफर को सहायक सिलिकॉन वेफर से जोड़ती है। गर्मी उपचार के बाद, एसओआई संरचना बनाने के लिए हाइड्रोजन-इंजेक्टेड वेफर को बुलबुले की परत से विभाजित किया जाता है। SIMOX तकनीक उच्च तापमान पर सिलिकॉन ऑक्साइड परत बनाने के लिए उच्च ऊर्जा ऑक्सीजन आयनों को सिलिकॉन वेफर्स में प्रत्यारोपित करती है।

परजीवी धारिता कम करें: की बॉक्स परतसिलिकॉन ऑन इंसुलेटर वेफरडिवाइस परत और बेस सिलिकॉन को प्रभावी ढंग से अलग करता है, जिससे परजीवी कैपेसिटेंस काफी कम हो जाता है। यह अलगाव बिजली की खपत को कम करता है और डिवाइस की गति और प्रदर्शन को बढ़ाता है।

लैच-अप प्रभाव से बचें: एन-वेल और पी-वेल डिवाइस मेंSOI वेफरपारंपरिक सीएमओएस संरचनाओं में लैच-अप प्रभाव से बचते हुए, पूरी तरह से अलग-थलग हैं। यह अनुमति देता हैसिलिकॉन ऑन इंसुलेटर वेफर उच्च गति पर निर्मित किया जाना है।

ईच स्टॉप फ़ंक्शन: एसओआई वेफर की एकल क्रिस्टल सिलिकॉन डिवाइस परत और बॉक्स परत संरचना एमईएमएस और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के निर्माण की सुविधा प्रदान करती है, जो उत्कृष्ट ईच स्टॉप फ़ंक्शन प्रदान करती है।

इन विशेषताओं के माध्यम से,सिलिकॉन ऑन इंसुलेटर वेफरसेमीकंडक्टर प्रसंस्करण में एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है और एकीकृत सर्किट (आईसी) और माइक्रोइलेक्ट्रोमैकेनिकल सिस्टम (एमईएमएस) उद्योगों के निरंतर विकास को बढ़ावा देता है। हम ईमानदारी से आपके साथ आगे संचार और सहयोग की आशा करते हैं।

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