ऐक्सट्रॉन G5 MOCVD ससेप्टर्स

VeTek सेमीकंडक्टर चीन में एक अग्रणी Aixtron G5 MOCVD Susceptors निर्माता और प्रर्वतक है। हम कई वर्षों से SiC कोटिंग सामग्री में विशेषज्ञता प्राप्त कर रहे हैं। हम Aixtron G5 MOCVD Susceptors प्रदान करते हैं जो विशेष रूप से Aixtron G5 MOCVD रिएक्टर के लिए डिज़ाइन किए गए हैं। यह Aixtron G5 MOCVD ससेप्टर्स किट अपने इष्टतम आकार, अनुकूलता और उच्च उत्पादकता के साथ सेमीकंडक्टर निर्माण के लिए एक बहुमुखी और कुशल समाधान है। हमसे पूछताछ करने के लिए आपका स्वागत है।

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उत्पाद वर्णन

पेशेवर निर्माता के रूप में, VeTek सेमीकंडक्टर आपको Aixtron G5 MOCVD Susceptors जैसे SiC लेपित ग्रेफाइट पार्ट्स, TaC लेपित ग्रेफाइट पार्ट्स, सॉलिड SiC/CVD SiC, क्वार्ट्ज पार्ट्स प्रदान करना चाहता है। हमसे पूछताछ करने के लिए आपका स्वागत है।

Aixtron G5 यौगिक अर्धचालकों के लिए एक जमाव प्रणाली है। AIX G5 MOCVD पूरी तरह से स्वचालित कार्ट्रिज (C2C) वेफर ट्रांसफर सिस्टम के साथ एक उत्पादन ग्राहक सिद्ध AIXTRON ग्रहीय रिएक्टर प्लेटफॉर्म का उपयोग करता है। उद्योग की सबसे बड़ी एकल गुहा आकार (8 x 6 इंच) और सबसे बड़ी उत्पादन क्षमता हासिल की। यह उत्कृष्ट उत्पाद गुणवत्ता बनाए रखते हुए उत्पादन लागत को कम करने के लिए डिज़ाइन किए गए लचीले 6 - और 4-इंच कॉन्फ़िगरेशन प्रदान करता है। गर्म दीवार ग्रहीय सीवीडी प्रणाली की विशेषता एक ही भट्ठी में कई प्लेटों की वृद्धि है, और आउटपुट दक्षता अधिक है। VeTek सेमीकंडक्टर Aixtron G5 MOCVD सिस्टम के लिए सहायक उपकरणों का एक पूरा सेट प्रदान करता है, Aixtron G5 MOCVD Susceptors में ये सहायक उपकरण शामिल हैं:

थ्रस्ट पीस, एंटी-रोटेट	वितरण अँगूठी	छत	धारक, छत, अछूता	कवर प्लेट, बाहरी
कवर प्लेट, भीतरी	कवर रिंग	डिस्क	पुलडाउन कवर डिस्क	नत्थी करना
पिन-वॉशर	ग्रहीय डिस्क	कलेक्टर इनलेट रिंग गैप	निकास कलेक्टर अपर	शटर
सहायक अंगूठी	समर्थन ट्यूब

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CVD SiC कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण:

CVD SiC कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण
संपत्ति	विशिष्ट मूल्य
क्रिस्टल की संरचना	एफसीसी β चरण पॉलीक्रिस्टलाइन, मुख्य रूप से (111) उन्मुख
घनत्व	3.21 ग्राम/सेमी³
कठोरता	2500 विकर्स कठोरता (500 ग्राम लोड)
अनाज आकार	2~10μm
रासायनिक शुद्धता	99.99995%
ताप की गुंजाइश	640 जे·किग्रा-1·के-1
उर्ध्वपातन तापमान	2700℃
आनमनी सार्मथ्य	415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट
यंग मापांक	430 जीपीए 4पीटी बेंड, 1300℃
ऊष्मीय चालकता	300W·m-1·K-1
थर्मल विस्तार (सीटीई)	4.5×10-6K-1