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ऊपरी हाफमून भाग SiC लेपित
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ऊपरी हाफमून भाग SiC लेपित

VeTek सेमीकंडक्टर चीन में अनुकूलित अपर हाफमून पार्ट SiC कोटेड का एक प्रमुख आपूर्तिकर्ता है, जो 20 वर्षों से अधिक समय से उन्नत सामग्रियों में विशेषज्ञता रखता है। VeTek सेमीकंडक्टर अपर हाफमून पार्ट SiC कोटेड विशेष रूप से SiC एपिटैक्सियल उपकरण के लिए डिज़ाइन किया गया है, जो प्रतिक्रिया कक्ष में एक महत्वपूर्ण घटक के रूप में कार्य करता है। अल्ट्रा-प्योर, सेमीकंडक्टर-ग्रेड ग्रेफाइट से निर्मित, यह उत्कृष्ट प्रदर्शन सुनिश्चित करता है। हम आपको चीन में हमारे कारखाने का दौरा करने के लिए आमंत्रित करते हैं।

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उत्पाद वर्णन

पेशेवर निर्माता के रूप में, हम आपको उच्च गुणवत्ता वाला अपर हाफमून पार्ट SiC कोटेड प्रदान करना चाहेंगे।

VeTek सेमीकंडक्टर अपर हाफमून पार्ट SiC कोटेड विशेष रूप से SiC एपीटैक्सियल चैम्बर के लिए डिज़ाइन किया गया है। उनके पास अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला है और वे विभिन्न उपकरण मॉडलों के साथ संगत हैं।

अनुप्रयोग परिदृश्य:

वीटेक सेमीकंडक्टर में, हम उच्च गुणवत्ता वाले अपर हाफमून पार्ट SiC कोटेड के निर्माण में विशेषज्ञ हैं। हमारे SiC और TaC लेपित उत्पाद विशेष रूप से SiC एपिटैक्सियल कक्षों के लिए डिज़ाइन किए गए हैं और विभिन्न उपकरण मॉडलों के साथ व्यापक अनुकूलता प्रदान करते हैं।

VeTek सेमीकंडक्टर अपर हाफमून पार्ट SiC कोटेड SiC एपीटैक्सियल चैम्बर में घटकों के रूप में कार्य करता है। वे नियंत्रित तापमान की स्थिति और वेफर्स के साथ अप्रत्यक्ष संपर्क सुनिश्चित करते हैं, अशुद्धता सामग्री को 5 पीपीएम से नीचे बनाए रखते हैं।

इष्टतम एपिटैक्सियल परत की गुणवत्ता सुनिश्चित करने के लिए, हम मोटाई और डोपिंग एकाग्रता एकरूपता जैसे महत्वपूर्ण मापदंडों की सावधानीपूर्वक निगरानी करते हैं। हमारे मूल्यांकन में सर्वोत्तम उत्पाद गुणवत्ता प्राप्त करने के लिए फिल्म की मोटाई, वाहक एकाग्रता, एकरूपता और सतह खुरदरापन डेटा का विश्लेषण करना शामिल है।

VeTek सेमीकंडक्टर अपर हाफमून पार्ट SiC कोटेड LPE, NAURA, JSG, CETC, NASO TECH और अन्य सहित विभिन्न उपकरण मॉडलों के साथ संगत है।

हमारे उच्च गुणवत्ता वाले अपर हाफमून पार्ट SiC कोटेड का पता लगाने या हमारे कारखाने का दौरा करने के लिए आज ही हमसे संपर्क करें।


CVD SiC कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण:

CVD SiC कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण
संपत्ति विशिष्ट मूल्य
क्रिस्टल की संरचना एफसीसी β चरण पॉलीक्रिस्टलाइन, मुख्य रूप से (111) उन्मुख
घनत्व 3.21 ग्राम/सेमी³
कठोरता 2500 विकर्स कठोरता (500 ग्राम लोड)
अनाज आकार 2~10μm
रासायनिक शुद्धता 99.99995%
ताप की गुंजाइश 640 जे·किग्रा-1·के-1
उर्ध्वपातन तापमान 2700℃
आनमनी सार्मथ्य 415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट
यंग मापांक 430 जीपीए 4पीटी बेंड, 1300℃
ऊष्मीय चालकता 300W·m-1·K-1
थर्मल विस्तार (सीटीई) 4.5×10-6K-1



वीटेक सेमीकंडक्टर प्रोडक्शन शॉप


सेमीकंडक्टर चिप एपिटैक्सी उद्योग श्रृंखला का अवलोकन:


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