क्या आप MOCVD Susceptor के बारे में जानते हैं?

धातु-कार्बनिक रासायनिक वाष्प जमाव (एमओसीवीडी) प्रक्रिया में, सुसेप्टर वेफर का समर्थन करने और जमाव प्रक्रिया की एकरूपता और सटीक नियंत्रण सुनिश्चित करने के लिए जिम्मेदार एक प्रमुख घटक है। इसकी सामग्री का चयन और उत्पाद की विशेषताएं सीधे एपिटैक्सियल प्रक्रिया की स्थिरता और उत्पाद की गुणवत्ता को प्रभावित करती हैं।

एमओसीवीडी स्वीकर्ता(धातु-कार्बनिक रासायनिक वाष्प जमाव) सेमीकंडक्टर निर्माण में एक प्रमुख प्रक्रिया घटक है। इसका उपयोग मुख्य रूप से एमओसीवीडी (मेटल-ऑर्गेनिक केमिकल वेपर डिपोजिशन) प्रक्रिया में पतली फिल्म जमाव के लिए वेफर को समर्थन और गर्म करने के लिए किया जाता है। अंतिम उत्पाद की एकरूपता, दक्षता और गुणवत्ता के लिए रिसेप्टर का डिज़ाइन और सामग्री का चयन महत्वपूर्ण है।

उत्पाद प्रकार और सामग्री चयन:

एमओसीवीडी ससेप्टर का डिज़ाइन और सामग्री चयन विविध है, जो आमतौर पर प्रक्रिया आवश्यकताओं और प्रतिक्रिया स्थितियों द्वारा निर्धारित किया जाता है।निम्नलिखित सामान्य उत्पाद प्रकार और उनकी सामग्रियां हैं:

SiC लेपित सुसेप्टर(सिलिकॉन कार्बाइड लेपित सुसेप्टर):

विवरण: सब्सट्रेट के रूप में ग्रेफाइट या अन्य उच्च तापमान सामग्री के साथ SiC कोटिंग के साथ ससेप्टर, और इसके पहनने के प्रतिरोध और संक्षारण प्रतिरोध में सुधार के लिए सतह पर CVD SiC कोटिंग (CVD SiC कोटिंग)।

अनुप्रयोग: उच्च तापमान और अत्यधिक संक्षारक गैस वातावरण में एमओसीवीडी प्रक्रियाओं में व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है, विशेष रूप से सिलिकॉन एपिटेक्सी और यौगिक अर्धचालक जमाव में।

TaC लेपित सुसेप्टर:

विवरण: मुख्य सामग्री के रूप में TaC कोटिंग (CVD TaC कोटिंग) के साथ ससेप्टर में अत्यधिक कठोरता और रासायनिक स्थिरता होती है और यह अत्यधिक संक्षारक वातावरण में उपयोग के लिए उपयुक्त है।

अनुप्रयोग: MOCVD प्रक्रियाओं में उपयोग किया जाता है जिनके लिए उच्च संक्षारण प्रतिरोध और यांत्रिक शक्ति की आवश्यकता होती है, जैसे गैलियम नाइट्राइड (GaN) और गैलियम आर्सेनाइड (GaAs) का जमाव।

एमओसीवीडी के लिए सिलिकॉन कार्बाइड लेपित ग्रेफाइट सुसेप्टर:

विवरण: सब्सट्रेट ग्रेफाइट है, और उच्च तापमान पर स्थिरता और लंबे जीवन को सुनिश्चित करने के लिए सतह को सीवीडी सीआईसी कोटिंग की एक परत से ढका गया है।

अनुप्रयोग: उच्च गुणवत्ता वाले मिश्रित अर्धचालक सामग्रियों के निर्माण के लिए ऐक्सट्रॉन एमओसीवीडी रिएक्टर जैसे उपकरणों में उपयोग के लिए उपयुक्त।

ईपीआई रिसेप्टर (एपिटेक्सी रिसेप्टर):

विवरण: विशेष रूप से एपिटैक्सियल विकास प्रक्रिया के लिए डिज़ाइन किया गया ससेप्टर, आमतौर पर इसकी तापीय चालकता और स्थायित्व को बढ़ाने के लिए SiC कोटिंग या TaC कोटिंग के साथ।

अनुप्रयोग: सिलिकॉन एपिटैक्सी और यौगिक अर्धचालक एपिटैक्सी में, इसका उपयोग वेफर्स के एक समान ताप और जमाव को सुनिश्चित करने के लिए किया जाता है।

सेमीकंडक्टर प्रसंस्करण में एमओसीवीडी के लिए ससेप्टर की मुख्य भूमिका:

वेफर समर्थन और समान हीटिंग:

कार्य: ससेप्टर का उपयोग एमओसीवीडी रिएक्टरों में वेफर्स का समर्थन करने और समान फिल्म जमाव सुनिश्चित करने के लिए इंडक्शन हीटिंग या अन्य तरीकों के माध्यम से समान गर्मी वितरण प्रदान करने के लिए किया जाता है।

ताप संचालन और स्थिरता:

कार्य: ससेप्टर सामग्रियों की तापीय चालकता और तापीय स्थिरता महत्वपूर्ण हैं। SiC कोटेड ससेप्टर और TaC कोटेड ससेप्टर अपनी उच्च तापीय चालकता और उच्च तापमान प्रतिरोध के कारण उच्च तापमान प्रक्रियाओं में स्थिरता बनाए रख सकते हैं, असमान तापमान के कारण होने वाले फिल्म दोषों से बच सकते हैं।

संक्षारण प्रतिरोध और लंबा जीवन:

कार्य: एमओसीवीडी प्रक्रिया में, ससेप्टर विभिन्न रासायनिक अग्रदूत गैसों के संपर्क में आता है। SiC कोटिंग और TaC कोटिंग उत्कृष्ट संक्षारण प्रतिरोध प्रदान करती है, सामग्री की सतह और प्रतिक्रिया गैस के बीच परस्पर क्रिया को कम करती है, और ससेप्टर की सेवा जीवन को बढ़ाती है।

प्रतिक्रिया वातावरण का अनुकूलन:

कार्य: उच्च गुणवत्ता वाले रिसेप्टर्स का उपयोग करके, एमओसीवीडी रिएक्टर में गैस प्रवाह और तापमान क्षेत्र को अनुकूलित किया जाता है, जिससे एक समान फिल्म जमाव प्रक्रिया सुनिश्चित होती है और डिवाइस की उपज और प्रदर्शन में सुधार होता है। इसका उपयोग आमतौर पर MOCVD रिएक्टरों और Aixtron MOCVD उपकरणों के लिए ससेप्टर्स में किया जाता है।

उत्पाद सुविधाएँ और तकनीकी लाभ：

उच्च तापीय चालकता और तापीय स्थिरता:

विशेषताएं: SiC और TaC लेपित रिसेप्टर्स में अत्यधिक उच्च तापीय चालकता होती है, वे तेजी से और समान रूप से गर्मी वितरित कर सकते हैं, और वेफर्स की एक समान हीटिंग सुनिश्चित करने के लिए उच्च तापमान पर संरचनात्मक स्थिरता बनाए रख सकते हैं।

लाभ: एमओसीवीडी प्रक्रियाओं के लिए उपयुक्त जिनके लिए सटीक तापमान नियंत्रण की आवश्यकता होती है, जैसे गैलियम नाइट्राइड (जीएएन) और गैलियम आर्सेनाइड (जीएएएस) जैसे यौगिक अर्धचालकों की एपिटैक्सियल वृद्धि।

उत्कृष्ट संक्षारण प्रतिरोध:

विशेषताएं: सीवीडी सीआईसी कोटिंग और सीवीडी टीएसी कोटिंग में अत्यधिक उच्च रासायनिक निष्क्रियता होती है और यह क्लोराइड और फ्लोराइड जैसी अत्यधिक संक्षारक गैसों से संक्षारण का विरोध कर सकती है, जो ससेप्टर के सब्सट्रेट को क्षति से बचाती है।

लाभ: ससेप्टर की सेवा जीवन बढ़ाएं, रखरखाव आवृत्ति कम करें, और एमओसीवीडी प्रक्रिया की समग्र दक्षता में सुधार करें।

उच्च यांत्रिक शक्ति और कठोरता:

विशेषताएं: SiC और TaC कोटिंग्स की उच्च कठोरता और यांत्रिक शक्ति, ससेप्टर को उच्च तापमान और उच्च दबाव वाले वातावरण में यांत्रिक तनाव का सामना करने और दीर्घकालिक स्थिरता और परिशुद्धता बनाए रखने में सक्षम बनाती है।

लाभ: अर्धचालक निर्माण प्रक्रियाओं के लिए विशेष रूप से उपयुक्त, जिनमें उच्च परिशुद्धता की आवश्यकता होती है, जैसे एपिटैक्सियल विकास और रासायनिक वाष्प जमाव।

बाज़ार अनुप्रयोग और विकास संभावनाएँ

एमओसीवीडी संग्राहकउच्च चमक वाले एलईडी, पावर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों (जैसे कि GaN-आधारित HEMTs), सौर सेल और अन्य ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के निर्माण में व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है। उच्च प्रदर्शन और कम बिजली खपत वाले सेमीकंडक्टर उपकरणों की बढ़ती मांग के साथ, एमओसीवीडी तकनीक लगातार आगे बढ़ रही है, जिससे ससेप्टर सामग्री और डिजाइन में नवीनता आ रही है। उदाहरण के लिए, उच्च शुद्धता और कम दोष घनत्व के साथ SiC कोटिंग तकनीक विकसित करना, और बड़े वेफर्स और अधिक जटिल मल्टी-लेयर एपिटैक्सियल प्रक्रियाओं के अनुकूल होने के लिए ससेप्टर के संरचनात्मक डिजाइन को अनुकूलित करना।

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