SiC लेपित MOCVD सुसेप्टर

VeTek सेमीकंडक्टर का SiC कोटेड MOCVD ससेप्टर उत्कृष्ट प्रक्रिया, स्थायित्व और विश्वसनीयता वाला एक उपकरण है। वे उच्च तापमान और रासायनिक वातावरण का सामना कर सकते हैं, स्थिर प्रदर्शन और लंबे जीवन को बनाए रख सकते हैं, जिससे प्रतिस्थापन और रखरखाव की आवृत्ति कम हो जाती है और उत्पादन दक्षता में सुधार होता है। हमारा एमओसीवीडी एपिटैक्सियल ससेप्टर अपने उच्च घनत्व, उत्कृष्ट समतलता और उत्कृष्ट थर्मल नियंत्रण के लिए प्रसिद्ध है, जो इसे कठोर विनिर्माण वातावरण में पसंदीदा उपकरण बनाता है। आपके साथ सहयोग करने के लिए उत्सुक हूं.

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उत्पाद वर्णन

SiC कोटेड का विशाल चयन ढूंढेंएमओसीवीडी स्वीकर्ताVeTek सेमीकंडक्टर पर चीन से। पेशेवर बिक्री-पश्चात सेवा और सही मूल्य प्रदान करें, सहयोग की आशा है।

वीटेक सेमीकंडक्टरएमओसीवीडी एपीटैक्सियल ससेप्टर्सवेफर उत्पादन प्रक्रिया में आम तौर पर उच्च तापमान वाले वातावरण और कठोर रासायनिक स्थितियों का सामना करने के लिए डिज़ाइन किए गए हैं। सटीक इंजीनियरिंग के माध्यम से, इन घटकों को एपिटैक्सियल रिएक्टर सिस्टम की कठोर आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए तैयार किया गया है। हमारे MOCVD एपिटैक्सियल ससेप्टर्स एक परत से लेपित उच्च गुणवत्ता वाले ग्रेफाइट सब्सट्रेट्स से बने होते हैंसिलिकॉन कार्बाइड (SiC), जिसमें न केवल उत्कृष्ट उच्च तापमान और संक्षारण प्रतिरोध है, बल्कि समान ताप वितरण भी सुनिश्चित होता है, जो लगातार एपिटैक्सियल फिल्म जमाव को बनाए रखने के लिए महत्वपूर्ण है।

इसके अलावा, हमारे सेमीकंडक्टर रिसेप्टर्स में उत्कृष्ट थर्मल प्रदर्शन होता है, जो सेमीकंडक्टर विकास प्रक्रिया को अनुकूलित करने के लिए तेज़ और समान तापमान नियंत्रण की अनुमति देता है। वे उच्च तापमान, ऑक्सीकरण और संक्षारण के हमले का सामना करने में सक्षम हैं, जिससे सबसे चुनौतीपूर्ण ऑपरेटिंग वातावरण में भी विश्वसनीय संचालन सुनिश्चित होता है।

इसके अलावा, SiC कोटेड MOCVD ससेप्टर्स को एकरूपता पर ध्यान देने के साथ डिज़ाइन किया गया है, जो उच्च गुणवत्ता वाले एकल क्रिस्टल सब्सट्रेट प्राप्त करने के लिए महत्वपूर्ण है। वेफर सतह पर उत्कृष्ट एकल क्रिस्टल विकास प्राप्त करने के लिए समतलता की उपलब्धि आवश्यक है।

वीटेक सेमीकंडक्टर में, उद्योग मानकों को पार करने का हमारा जुनून उतना ही महत्वपूर्ण है जितना कि हमारे भागीदारों के लिए लागत-प्रभावशीलता के प्रति हमारी प्रतिबद्धता। हम सेमीकंडक्टर निर्माण की लगातार बदलती जरूरतों को पूरा करने के लिए एमओसीवीडी एपिटैक्सियल ससेप्टर जैसे उत्पाद प्रदान करने का प्रयास करते हैं और यह सुनिश्चित करने के लिए इसके विकास के रुझानों का अनुमान लगाते हैं कि आपका ऑपरेशन सबसे उन्नत उपकरणों से सुसज्जित है। हम आपके साथ दीर्घकालिक साझेदारी बनाने और आपको गुणवत्तापूर्ण समाधान प्रदान करने के लिए तत्पर हैं।

का उत्पाद पैरामीटर SiC लेपित MOCVD सुसेप्टर:

CVD SiC कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण
संपत्ति	विशिष्ट मूल्य
क्रिस्टल की संरचना	एफसीसी β चरण पॉलीक्रिस्टलाइन, मुख्य रूप से (111) उन्मुख
घनत्व	3.21 ग्राम/सेमी³
कठोरता	2500 विकर्स कठोरता (500 ग्राम लोड)
अनाज आकार	2~10μm
रासायनिक शुद्धता	99.99995%
ताप की गुंजाइश	640 जे·किग्रा^-1·के^-1
ऊर्ध्वपातन तापमान	2700℃
आनमनी सार्मथ्य	415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट
यंग का मापांक	430 जीपीए 4पीटी बेंड, 1300℃
ऊष्मीय चालकता	300W·m^-1·के^-1
थर्मल विस्तार (सीटीई)	4.5×10^-6K^-1