टैंटलम कार्बाइड रिंग

वीटेक सेमीकंडक्टर की टैंटलम कार्बाइड (टीएसी) रिंग मुख्य सामग्री के रूप में उच्च गुणवत्ता वाले ग्रेफाइट का उपयोग करती है और, इसकी अनूठी संरचना के लिए धन्यवाद, क्रिस्टल ग्रोथ फर्नेस की चरम स्थितियों के तहत अपने आकार और यांत्रिक गुणों को बनाए रखने में सक्षम है। ग्रेफाइट का उच्च ताप प्रतिरोध इसे पूरे क्षेत्र में उत्कृष्ट स्थिरता प्रदान करता हैक्रिस्टल विकास प्रक्रिया.

TaC रिंग की बाहरी परत एक से ढकी होती हैटैंटलम कार्बाइड कोटिंग, एक ऐसी सामग्री जो अपनी अत्यधिक उच्च कठोरता, 3880°C से अधिक के गलनांक और रासायनिक संक्षारण के उत्कृष्ट प्रतिरोध के लिए जानी जाती है, जो इसे उच्च तापमान वाले ऑपरेटिंग वातावरण के लिए विशेष रूप से उपयुक्त बनाती है। टैंटलम कार्बाइड कोटिंग हिंसक रासायनिक प्रतिक्रियाओं को प्रभावी ढंग से रोकने के लिए एक मजबूत बाधा प्रदान करती है और यह सुनिश्चित करती है कि ग्रेफाइट कोर उच्च तापमान भट्टी गैसों से खराब न हो।

दौरानसिलिकॉन कार्बाइड (SiC) क्रिस्टल वृद्धिउच्च गुणवत्ता वाले क्रिस्टल सुनिश्चित करने के लिए स्थिर और समान विकास की स्थिति महत्वपूर्ण है। टैंटलम कार्बाइड कोटिंग रिंग भट्ठी के भीतर गैस प्रवाह को विनियमित करने और तापमान वितरण को अनुकूलित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाती है। गैस गाइड रिंग के रूप में, TaC रिंग ऊष्मा ऊर्जा और प्रतिक्रिया गैसों का समान वितरण सुनिश्चित करती है, जिससे SiC क्रिस्टल की समान वृद्धि और स्थिरता सुनिश्चित होती है।

इसके अलावा, टैंटलम कार्बाइड कोटेड के सुरक्षात्मक प्रभाव के साथ संयुक्त ग्रेफाइट की उच्च तापीय चालकता TaC गाइड रिंग को SiC क्रिस्टल विकास के लिए आवश्यक उच्च तापमान वाले वातावरण में स्थिर रूप से संचालित करने में सक्षम बनाती है। इसकी संरचनात्मक ताकत और आयामी स्थिरता भट्ठी में स्थितियों को बनाए रखने के लिए महत्वपूर्ण है, जो सीधे उत्पादित क्रिस्टल की गुणवत्ता को प्रभावित करती है। भट्ठी के भीतर थर्मल उतार-चढ़ाव और रासायनिक प्रतिक्रियाओं को कम करके, TaC कोटिंग रिंग उच्च-प्रदर्शन अर्धचालक अनुप्रयोगों के लिए उत्कृष्ट इलेक्ट्रॉनिक गुणों वाले क्रिस्टल उत्पन्न करने में मदद करती है।

वीटेक सेमीकंडक्टर का टैंटलम कार्बाइड रिंग एक प्रमुख घटक हैसिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल विकास भट्टियांऔर अपने उत्कृष्ट स्थायित्व, थर्मल स्थिरता और रासायनिक प्रतिरोध के लिए जाना जाता है। ग्रेफाइट कोर और TaC कोटिंग का इसका अनूठा संयोजन इसे कठोर परिस्थितियों में संरचनात्मक अखंडता और कार्यक्षमता बनाए रखने की अनुमति देता है। भट्ठी के भीतर तापमान और गैस प्रवाह को सटीक रूप से नियंत्रित करके, TaC कोटिंग रिंग उच्च गुणवत्ता वाले SiC क्रिस्टल के उत्पादन के लिए आवश्यक शर्तें प्रदान करती है, जो अत्याधुनिक अर्धचालक घटक उत्पादन के लिए महत्वपूर्ण हैं।

सूक्ष्म क्रॉस-सेक्शन पर टैंटलम कार्बाइड (TaC) कोटिंग：