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TaC कोटिंग गाइड रिंग्स
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TaC कोटिंग गाइड रिंग्स

चीन में TaC कोटिंग गाइड रिंग्स उत्पादों के अग्रणी निर्माता के रूप में, VeTek सेमीकंडक्टर TaC कोटेड गाइड रिंग्स MOCVD उपकरण में महत्वपूर्ण घटक हैं, जो एपिटैक्सियल विकास के दौरान सटीक और स्थिर गैस वितरण सुनिश्चित करते हैं, और सेमीकंडक्टर एपिटैक्सियल विकास में एक अनिवार्य सामग्री हैं। हमसे परामर्श करने के लिए आपका स्वागत है।

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उत्पाद वर्णन

TaC कोटिंग गाइड रिंग्स का कार्य:


सटीक गैस प्रवाह नियंत्रण: दTaC कोटिंग गाइड रिंगकी गैस इंजेक्शन प्रणाली के भीतर रणनीतिक रूप से स्थित हैएमओसीवीडी रिएक्टर. इसका प्राथमिक कार्य पूर्ववर्ती गैसों के प्रवाह को निर्देशित करना और सब्सट्रेट वेफर सतह पर उनका समान वितरण सुनिश्चित करना है। गैस प्रवाह की गतिशीलता पर यह सटीक नियंत्रण समान एपिटैक्सियल परत वृद्धि और वांछित सामग्री गुणों को प्राप्त करने के लिए आवश्यक है।

थर्मल प्रबंधन: TaC कोटिंग गाइड रिंग्स गर्म रिसेप्टर और सब्सट्रेट के निकट होने के कारण अक्सर ऊंचे तापमान पर काम करते हैं। TaC की उत्कृष्ट तापीय चालकता गर्मी को प्रभावी ढंग से नष्ट करने में मदद करती है, स्थानीयकृत ओवरहीटिंग को रोकती है और प्रतिक्रिया क्षेत्र के भीतर एक स्थिर तापमान प्रोफ़ाइल बनाए रखती है।


एमओसीवीडी में टीएसी के लाभ:


अत्यधिक तापमान प्रतिरोध: TaC सभी सामग्रियों के बीच उच्चतम पिघलने बिंदु में से एक है, जो 3800°C से अधिक है।

उत्कृष्ट रासायनिक जड़ता: TaC, MOCVD में उपयोग की जाने वाली प्रतिक्रियाशील पूर्ववर्ती गैसों, जैसे अमोनिया, सिलेन और विभिन्न धातु-कार्बनिक यौगिकों से संक्षारण और रासायनिक हमले के लिए असाधारण प्रतिरोध प्रदर्शित करता है।


के भौतिक गुणTaC कोटिंग:

के भौतिक गुणTaC कोटिंग
घनत्व
14.3 (ग्राम/सेमी³)
विशिष्ट उत्सर्जन
0.3
थर्मल विस्तार गुणांक
6.3*10-6/के
कठोरता (एचके)
2000 एच.के
प्रतिरोध
1×10-5ओम*सेमी
तापीय स्थिरता
<2500℃
ग्रेफाइट का आकार बदल जाता है
-10~-20um
कोटिंग की मोटाई
≥20um विशिष्ट मान (35um±10um)


एमओसीवीडी प्रदर्शन के लिए लाभ:


MOCVD उपकरण में VeTek सेमीकंडक्टर TaC कोटिंग गाइड रिंग का उपयोग महत्वपूर्ण योगदान देता है:

उपकरण अपटाइम में वृद्धि: TaC कोटिंग गाइड रिंग का स्थायित्व और विस्तारित जीवनकाल बार-बार प्रतिस्थापन की आवश्यकता को कम करता है, रखरखाव डाउनटाइम को कम करता है और MOCVD प्रणाली की परिचालन दक्षता को अधिकतम करता है।

उन्नत प्रक्रिया स्थिरता: TaC की थर्मल स्थिरता और रासायनिक जड़ता MOCVD कक्ष के भीतर अधिक स्थिर और नियंत्रित प्रतिक्रिया वातावरण में योगदान करती है, प्रक्रिया भिन्नता को कम करती है और प्रतिलिपि प्रस्तुत करने योग्यता में सुधार करती है।

बेहतर एपिटैक्सियल परत एकरूपता: TaC कोटिंग गाइड रिंग्स द्वारा सुविधाजनक सटीक गैस प्रवाह नियंत्रण एक समान पूर्ववर्ती वितरण सुनिश्चित करता है, जिसके परिणामस्वरूप अत्यधिक समान वितरण होता हैएपिटैक्सियल परत की वृद्धिसुसंगत मोटाई और संरचना के साथ।


टैंटलम कार्बाइड (TaC) कोटिंगसूक्ष्म क्रॉस-सेक्शन पर:

Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 1Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 2Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 3Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 4


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