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SiC कोटिंग इनलेट रिंग
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SiC कोटिंग इनलेट रिंग

वेटेक सेमीकंडक्टर विशिष्ट आवश्यकताओं के अनुरूप SiC कोटिंग इनलेट रिंग के लिए विशेष डिज़ाइन तैयार करने के लिए ग्राहकों के साथ मिलकर सहयोग करने में उत्कृष्टता प्राप्त करता है। ये SiC कोटिंग इनलेट रिंग CVD SiC उपकरण और सिलिकॉन कार्बाइड एपिटैक्सी जैसे विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए सावधानीपूर्वक इंजीनियर किए गए हैं। अनुरूप SiC कोटिंग इनलेट रिंग समाधानों के लिए, व्यक्तिगत सहायता के लिए वेटेक सेमीकंडक्टर तक पहुंचने में संकोच न करें।

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उत्पाद वर्णन

उच्च गुणवत्ता वाली SiC कोटिंग इनलेट रिंग चीन निर्माता वेटेक सेमीकंडक्टर द्वारा पेश की जाती है। SiC कोटिंग इनलेट रिंग खरीदें जो कम कीमत पर सीधे उच्च गुणवत्ता वाली हो।

वेटेक सेमीकंडक्टर सेमीकंडक्टर उद्योग के लिए तैयार किए गए उन्नत और प्रतिस्पर्धी उत्पादन उपकरणों की आपूर्ति करने में माहिर है, जो तीसरी पीढ़ी के SiC-CVD सिस्टम के लिए SiC कोटिंग इनलेट रिंग जैसे SiC-लेपित ग्रेफाइट घटकों पर ध्यान केंद्रित करता है। ये प्रणालियाँ सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट्स पर एक समान एकल क्रिस्टल एपिटैक्सियल परतों के विकास की सुविधा प्रदान करती हैं, जो शोट्की डायोड, आईजीबीटी, एमओएसएफईटी और विभिन्न इलेक्ट्रॉनिक घटकों जैसे बिजली उपकरणों के निर्माण के लिए आवश्यक हैं।

SiC-CVD उपकरण प्रक्रिया और उपकरण को निर्बाध रूप से विलय करता है, उच्च उत्पादन क्षमता, 6/8-इंच वेफर्स के साथ संगतता, लागत दक्षता, कई भट्टियों में निरंतर स्वचालित विकास नियंत्रण, कम दोष दर और तापमान के माध्यम से सुविधाजनक रखरखाव और विश्वसनीयता में उल्लेखनीय लाभ प्रदान करता है। और प्रवाह क्षेत्र नियंत्रण डिज़ाइन। जब हमारे SiC कोटिंग इनलेट रिंग के साथ जोड़ा जाता है, तो यह उपकरण उत्पादकता को बढ़ाता है, परिचालन जीवन को बढ़ाता है, और प्रभावी ढंग से लागत का प्रबंधन करता है।

वेटेक सेमीकंडक्टर की SiC कोटिंग इनलेट रिंग की विशेषता उच्च शुद्धता, स्थिर ग्रेफाइट गुण, सटीक प्रसंस्करण और CVD SiC कोटिंग का अतिरिक्त लाभ है। सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग्स की उच्च तापमान स्थिरता चरम वातावरण में सब्सट्रेट को गर्मी और रासायनिक संक्षारण से बचाती है। ये कोटिंग्स उच्च कठोरता और पहनने के प्रतिरोध भी प्रदान करती हैं, विस्तारित सब्सट्रेट जीवनकाल, विभिन्न रसायनों के खिलाफ संक्षारण प्रतिरोध, कम नुकसान के लिए कम घर्षण गुणांक और कुशल गर्मी अपव्यय के लिए बेहतर तापीय चालकता सुनिश्चित करती हैं। कुल मिलाकर, सीवीडी सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग्स व्यापक सुरक्षा प्रदान करती हैं, सब्सट्रेट जीवनकाल को बढ़ाती हैं और प्रदर्शन को बढ़ाती हैं।


CVD SiC कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण:

CVD SiC कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण
संपत्ति विशिष्ट मूल्य
क्रिस्टल की संरचना एफसीसी β चरण पॉलीक्रिस्टलाइन, मुख्य रूप से (111) उन्मुख
घनत्व 3.21 ग्राम/सेमी³
कठोरता 2500 विकर्स कठोरता (500 ग्राम लोड)
अनाज आकार 2~10μm
रासायनिक शुद्धता 99.99995%
ताप की गुंजाइश 640 जे·किग्रा-1·के-1
उर्ध्वपातन तापमान 2700℃
आनमनी सार्मथ्य 415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट
यंग का मापांक 430 जीपीए 4पीटी बेंड, 1300℃
ऊष्मीय चालकता 300W·m-1·K-1
थर्मल विस्तार (सीटीई) 4.5×10-6K-1


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