सीवीडी टीएसी कोटिंग क्या है?

जैसा कि हम सभी जानते हैं,टीएसीइसका गलनांक 3880°C तक होता है, उच्च यांत्रिक शक्ति, कठोरता, थर्मल शॉक प्रतिरोध; उच्च तापमान पर अमोनिया, हाइड्रोजन, सिलिकॉन युक्त वाष्प के लिए अच्छी रासायनिक जड़ता और थर्मल स्थिरता।

सूक्ष्म क्रॉस-सेक्शन पर टैंटलम कार्बाइड कोटिंग

सीवीडी टीएसी कोटिंग, रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी)।टैंटलम कार्बाइड (TaC) कोटिंग, एक सब्सट्रेट (आमतौर पर ग्रेफाइट) पर उच्च घनत्व और टिकाऊ कोटिंग बनाने की एक प्रक्रिया है। इस विधि में उच्च तापमान पर सब्सट्रेट की सतह पर TaC जमा करना शामिल है, जिसके परिणामस्वरूप उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता और रासायनिक प्रतिरोध के साथ एक कोटिंग प्राप्त होती है।

CVD TaC कोटिंग्स के मुख्य लाभों में शामिल हैं:

अत्यधिक उच्च तापीय स्थिरता: 2200 डिग्री सेल्सियस से अधिक तापमान का सामना कर सकता है।

रासायनिक प्रतिरोध: हाइड्रोजन, अमोनिया और सिलिकॉन वाष्प जैसे कठोर रसायनों का प्रभावी ढंग से विरोध कर सकता है।

मजबूत आसंजन: प्रदूषण के बिना लंबे समय तक चलने वाली सुरक्षा सुनिश्चित करता है।

उच्च शुद्धता: अशुद्धियों को कम करता है, जिससे यह अर्धचालक अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बन जाता है।

ये कोटिंग्स विशेष रूप से उन वातावरणों के लिए उपयुक्त हैं जिनके लिए उच्च स्थायित्व और चरम स्थितियों के प्रतिरोध की आवश्यकता होती है, जैसे अर्धचालक विनिर्माण और उच्च तापमान वाली औद्योगिक प्रक्रियाएं।

औद्योगिक उत्पादन में, TaC कोटिंग के साथ लेपित ग्रेफाइट (कार्बन-कार्बन मिश्रित) सामग्री पारंपरिक उच्च शुद्धता वाले ग्रेफाइट, pBN कोटिंग, SiC कोटिंग भागों आदि को प्रतिस्थापित करने की बहुत संभावना है। इसके अलावा, एयरोस्पेस के क्षेत्र में, TaC में काफी संभावनाएं हैं इसका उपयोग उच्च तापमान एंटी-ऑक्सीडेशन और एंटी-एब्लेशन कोटिंग के रूप में किया जा सकता है, और इसमें व्यापक अनुप्रयोग संभावनाएं हैं। हालाँकि, ग्रेफाइट की सतह पर सघन, एकसमान, गैर-परतदार TaC कोटिंग तैयार करने और औद्योगिक बड़े पैमाने पर उत्पादन को बढ़ावा देने के लिए अभी भी कई चुनौतियाँ हैं।

इस प्रक्रिया में, कोटिंग के सुरक्षा तंत्र की खोज करना, उत्पादन प्रक्रिया में नवाचार करना और शीर्ष विदेशी स्तर के साथ प्रतिस्पर्धा करना तीसरी पीढ़ी के लिए महत्वपूर्ण है।सेमीकंडक्टर क्रिस्टल वृद्धि और एपिटेक्सी.

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