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CVD TaC लेपित तीन पंखुड़ी वाली गाइड रिंग
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CVD TaC लेपित तीन पंखुड़ी वाली गाइड रिंग

वीटेक सेमीकंडक्टर ने कई वर्षों के तकनीकी विकास का अनुभव किया है और सीवीडी टीएसी कोटिंग की अग्रणी प्रक्रिया प्रौद्योगिकी में महारत हासिल की है। सीवीडी टीएसी लेपित तीन-पंखुड़ी गाइड रिंग वीटेक सेमीकंडक्टर के सबसे परिपक्व सीवीडी टीएसी कोटिंग उत्पादों में से एक है और पीवीटी विधि द्वारा सीआईसी क्रिस्टल तैयार करने के लिए एक महत्वपूर्ण घटक है। मुझे विश्वास है कि VeTek सेमीकंडक्टर की मदद से आपका SiC क्रिस्टल उत्पादन सुचारू और अधिक कुशल होगा।

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उत्पाद वर्णन

सिलिकॉन कार्बाइड सिंगल क्रिस्टल सब्सट्रेट सामग्री एक प्रकार की क्रिस्टल सामग्री है, जो वाइड बैंडगैप सेमीकंडक्टर सामग्री से संबंधित है। इसमें उच्च वोल्टेज प्रतिरोध, उच्च तापमान प्रतिरोध, उच्च आवृत्ति, कम हानि आदि के फायदे हैं। यह उच्च शक्ति वाले इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और माइक्रोवेव रेडियो फ्रीक्वेंसी उपकरणों की तैयारी के लिए एक बुनियादी सामग्री है। वर्तमान में, SiC क्रिस्टल उगाने की मुख्य विधियाँ भौतिक वाष्प परिवहन (PVT विधि), उच्च तापमान रासायनिक वाष्प जमाव (HTCVD विधि), तरल चरण विधि, आदि हैं।


Working diagram of CVD TaC coated three-petal guide ring

पीवीटी विधि एक अपेक्षाकृत परिपक्व विधि है जो औद्योगिक बड़े पैमाने पर उत्पादन के लिए अधिक उपयुक्त है। SiC बीज क्रिस्टल को क्रूसिबल के शीर्ष पर रखकर और SiC पाउडर को कच्चे माल के रूप में क्रूसिबल के तल पर, उच्च तापमान और कम दबाव के बंद वातावरण में रखने से, SiC पाउडर उर्ध्वपातित हो जाता है और आसपास के क्षेत्र में ऊपर की ओर स्थानांतरित हो जाता है। तापमान प्रवणता और सांद्रता अंतर की क्रिया के तहत बीज क्रिस्टल का, और सुपरसैचुरेटेड अवस्था तक पहुंचने के बाद पुन: क्रिस्टलीकृत होता है, SiC क्रिस्टल आकार और विशिष्ट क्रिस्टल प्रकार की नियंत्रणीय वृद्धि प्राप्त की जा सकती है।


सीवीडी टीएसी लेपित तीन-पंखुड़ी गाइड रिंग का मुख्य कार्य द्रव यांत्रिकी में सुधार करना, गैस प्रवाह का मार्गदर्शन करना और क्रिस्टल विकास क्षेत्र को एक समान वातावरण प्राप्त करने में मदद करना है। यह प्रभावी ढंग से गर्मी को नष्ट करता है और SiC क्रिस्टल के विकास के दौरान तापमान प्रवणता को बनाए रखता है, जिससे SiC क्रिस्टल की विकास स्थितियों को अनुकूलित किया जाता है और असमान तापमान वितरण के कारण होने वाले क्रिस्टल दोषों से बचा जाता है।



CVD TaC कोटिंग का उत्कृष्ट प्रदर्शन

 अति उच्च शुद्धताअशुद्धियों और संदूषण की उत्पत्ति से बचाता है।

 उच्च तापमान स्थिरता2500°C से ऊपर उच्च तापमान स्थिरता अति-उच्च तापमान संचालन को सक्षम बनाती है।

 रासायनिक पर्यावरण सहनशीलताH(2), NH(3), SiH(4) और Si के प्रति सहनशीलता, कठोर रासायनिक वातावरण में सुरक्षा प्रदान करती है।

 बिना बहाए लंबा जीवनग्रेफाइट बॉडी के साथ मजबूत संबंध आंतरिक कोटिंग को गिराए बिना लंबे जीवन चक्र को सुनिश्चित कर सकता है।

 थर्मल शॉक प्रतिरोधथर्मल शॉक प्रतिरोध ऑपरेशन चक्र को गति देता है।

 ●सख्त आयामी सहिष्णुतायह सुनिश्चित करता है कि कोटिंग कवरेज सख्त आयामी सहनशीलता को पूरा करता है।


वीटेक सेमीकंडक्टर के पास एक पेशेवर और परिपक्व तकनीकी सहायता टीम और बिक्री टीम है जो आपके लिए सबसे उपयुक्त उत्पाद और समाधान तैयार कर सकती है। प्री-सेल्स से लेकर आफ्टर-सेल्स तक, वीटेक सेमीकंडक्टर हमेशा आपको सबसे पूर्ण और व्यापक सेवाएं प्रदान करने के लिए प्रतिबद्ध है।


TaC कोटिंग के भौतिक गुण

TaC कोटिंग के भौतिक गुण
TaC कोटिंग घनत्व
14.3 (ग्राम/सेमी³)
विशिष्ट उत्सर्जन
0.3
थर्मल विस्तार गुणांक
6.3 10-6/के
TaC कोटिंग कठोरता (HK)
2000 एच.के
प्रतिरोध
1×10-5ओम*सेमी
तापीय स्थिरता
<2500℃
ग्रेफाइट का आकार बदल जाता है
-10~-20um
कोटिंग की मोटाई
≥20um विशिष्ट मान (35um±10um)
ऊष्मीय चालकता
9-22(डब्ल्यू/एम·के)

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