सीवीडी एसआईसी पैनकेक ससेप्टर

बेहतर भौतिक गुण

वीटेक सेमीकंडक्टर CVD SiC पैनकेक ससेप्टर उत्कृष्ट स्थायित्व और अत्यधिक तापमान अनुकूलनशीलता सुनिश्चित करने के लिए नवीनतम रासायनिक वाष्प जमाव (CVD) तकनीक का उपयोग करके निर्मित किया गया है। इसके मुख्य भौतिक गुण निम्नलिखित हैं:

● तापीय स्थिरता: CVD SiC की उच्च तापीय स्थिरता उच्च तापमान स्थितियों के तहत स्थिर प्रदर्शन सुनिश्चित करती है।

● कम तापीय विस्तार गुणांक: सामग्री में बेहद कम तापीय विस्तार गुणांक होता है, जो तापमान परिवर्तन के कारण होने वाले विरूपण और विरूपण को कम करता है।

● रासायनिक संक्षारण प्रतिरोध: उत्कृष्ट रासायनिक प्रतिरोध इसे विभिन्न प्रकार के कठोर वातावरणों में उच्च प्रदर्शन बनाए रखने में सक्षम बनाता है।

सटीक समर्थन और अनुकूलित गर्मी हस्तांतरण

VeTekSemi का पैनकेक ससेप्टर आधारित SiC कोटेड सेमीकंडक्टर वेफर्स को समायोजित करने और एपिटैक्सियल जमाव के दौरान उत्कृष्ट समर्थन प्रदान करने के लिए डिज़ाइन किया गया है। SiC पैनकेक ससेप्टर को विभिन्न तापमान और दबाव स्थितियों के तहत विकृति और विरूपण को कम करने के लिए उन्नत कम्प्यूटेशनल सिमुलेशन तकनीक का उपयोग करके डिज़ाइन किया गया है। इसका विशिष्ट तापीय विस्तार गुणांक लगभग 4.0 × 10^ है^-6/°C, जिसका अर्थ है कि इसकी आयामी स्थिरता उच्च तापमान वाले वातावरण में पारंपरिक सामग्रियों की तुलना में काफी बेहतर है, जिससे वेफर मोटाई (आमतौर पर 200 मिमी से 300 मिमी) की स्थिरता सुनिश्चित होती है।

इसके अलावा, सीवीडी पैनकेक ससेप्टर 120 डब्लू/एम·के तक की तापीय चालकता के साथ गर्मी हस्तांतरण में उत्कृष्टता प्राप्त करता है। यह उच्च तापीय चालकता तेजी से और प्रभावी ढंग से गर्मी का संचालन कर सकती है, भट्ठी के भीतर तापमान की एकरूपता को बढ़ा सकती है, एपिटैक्सियल जमाव के दौरान समान गर्मी वितरण सुनिश्चित कर सकती है, और असमान गर्मी के कारण होने वाले जमाव दोष को कम कर सकती है। जमाव की गुणवत्ता में सुधार के लिए अनुकूलित गर्मी हस्तांतरण प्रदर्शन महत्वपूर्ण है, जो प्रक्रिया के उतार-चढ़ाव को प्रभावी ढंग से कम कर सकता है और उपज में सुधार कर सकता है।

इन डिज़ाइन और प्रदर्शन अनुकूलन के माध्यम से, VeTek सेमीकंडक्टर का CVD SiC पैनकेक ससेप्टर सेमीकंडक्टर निर्माण के लिए एक ठोस आधार प्रदान करता है, कठोर प्रसंस्करण स्थितियों के तहत विश्वसनीयता और स्थिरता सुनिश्चित करता है और उच्च परिशुद्धता और गुणवत्ता के लिए आधुनिक सेमीकंडक्टर उद्योग की कठोर आवश्यकताओं को पूरा करता है।

सीवीडी एसआईसी फिल्म क्रिस्टल संरचना

CVD SiC कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण

CVD SiC कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण
संपत्ति	विशिष्ट मूल्य
क्रिस्टल की संरचना	एफसीसी β चरण पॉलीक्रिस्टलाइन, मुख्य रूप से (111) उन्मुख
घनत्व	3.21 ग्राम/सेमी³
कठोरता	2500 विकर्स कठोरता (500 ग्राम लोड)
अनाज आकार	2~10μm
रासायनिक शुद्धता	99.99995%
ताप की गुंजाइश	640 जे·किग्रा-1·के-1
उर्ध्वपातन तापमान	2700℃
आनमनी सार्मथ्य	415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट
यंग का मापांक	430 जीपीए 4पीटी बेंड, 1300℃
ऊष्मीय चालकता	300W·m-1·के-1
थर्मल विस्तार (सीटीई)	4.5×10-6K-1