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ईपीआई के लिए SiC लेपित ग्रेफाइट बैरल ससेप्टर
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ईपीआई के लिए SiC लेपित ग्रेफाइट बैरल ससेप्टर

VeTek सेमीकंडक्टर EPI के लिए SiC लेपित ग्रेफाइट बैरल ससेप्टर के लिए एक पेशेवर निर्माता, आपूर्तिकर्ता और निर्यातक है। एक पेशेवर टीम और अग्रणी प्रौद्योगिकी द्वारा समर्थित, वीटेक सेमीकंडक्टर आपको उचित कीमतों पर उच्च गुणवत्ता प्रदान कर सकता है। हम आगे की चर्चा के लिए हमारे कारखाने में आने के लिए आपका स्वागत करते हैं।

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उत्पाद वर्णन

VeTek सेमीकंडक्टर चीन का निर्माता और आपूर्तिकर्ता है जो कई वर्षों के अनुभव के साथ मुख्य रूप से EPI के लिए SiC लेपित ग्रेफाइट बैरल ससेप्टर का उत्पादन करता है। आशा है कि आपके साथ व्यापारिक संबंध बनेंगे। उन्नत अर्धचालकों के निर्माण में ईपीआई (एपिटैक्सी) एक महत्वपूर्ण प्रक्रिया है। इसमें जटिल उपकरण संरचनाएं बनाने के लिए सब्सट्रेट पर सामग्री की पतली परतों का जमाव शामिल है। ईपीआई के लिए SiC लेपित ग्रेफाइट बैरल ससेप्टर को उनकी उत्कृष्ट तापीय चालकता और उच्च तापमान के प्रतिरोध के कारण आमतौर पर ईपीआई रिएक्टरों में ससेप्टर के रूप में उपयोग किया जाता है। CVD-SiC कोटिंग के साथ, यह संदूषण, क्षरण और थर्मल शॉक के प्रति अधिक प्रतिरोधी हो जाता है। इसके परिणामस्वरूप ससेप्टर का जीवनकाल लंबा हो जाता है और फिल्म की गुणवत्ता में सुधार होता है।


हमारे SiC लेपित ग्रेफाइट बैरल सुसेप्टर के लाभ:

संदूषण में कमी: SiC की निष्क्रिय प्रकृति अशुद्धियों को अतिसंवेदनशील सतह पर चिपकने से रोकती है, जिससे जमा फिल्मों के संदूषण का खतरा कम हो जाता है।

कटाव प्रतिरोध में वृद्धि: पारंपरिक ग्रेफाइट की तुलना में SiC कटाव के प्रति काफी अधिक प्रतिरोधी है, जिससे रिसेप्टर का जीवनकाल लंबा हो जाता है।

बेहतर तापीय स्थिरता: SiC में उत्कृष्ट तापीय चालकता है और यह महत्वपूर्ण विरूपण के बिना उच्च तापमान का सामना कर सकता है।

उन्नत फिल्म गुणवत्ता: बेहतर थर्मल स्थिरता और कम संदूषण के परिणामस्वरूप बेहतर एकरूपता और मोटाई नियंत्रण के साथ उच्च गुणवत्ता वाली जमा फिल्में बनती हैं।


अनुप्रयोग:

SiC लेपित ग्रेफाइट बैरल रिसेप्टर्स का व्यापक रूप से विभिन्न ईपीआई अनुप्रयोगों में उपयोग किया जाता है, जिनमें शामिल हैं:

GaN-आधारित एल.ई.डी

बिजली के इलेक्ट्रॉनिक्स

ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरण

उच्च आवृत्ति ट्रांजिस्टर

सेंसर


SiC लेपित ग्रेफाइट बैरल ससेप्टर का उत्पाद पैरामीटर

आइसोस्टैटिक ग्रेफाइट के भौतिक गुण
संपत्ति इकाई विशिष्ट मूल्य
थोक घनत्व जी/सेमी³ 1.83
कठोरता एचएसडी 58
विद्युत प्रतिरोधकता माँ.म 10
आनमनी सार्मथ्य एमपीए 47
सम्पीडक क्षमता एमपीए 103
तन्यता ताकत एमपीए 31
यंग मापांक जीपीए 11.8
थर्मल विस्तार (सीटीई) 10-6K -1 4.6
ऊष्मीय चालकता W·m-1·K-1 130
औसत अनाज का आकार माइक्रोन 8-10
सरंध्रता % 10
राख सामग्री पीपीएम ≤10 (शुद्ध करने के बाद)

नोट: कोटिंग से पहले हम पहला शुद्धिकरण करेंगे, कोटिंग के बाद दूसरा शुद्धिकरण करेंगे।


CVD SiC कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण
संपत्ति विशिष्ट मूल्य
क्रिस्टल की संरचना एफसीसी β चरण पॉलीक्रिस्टलाइन, मुख्य रूप से (111) उन्मुख
घनत्व 3.21 ग्राम/सेमी³
कठोरता 2500 विकर्स कठोरता (500 ग्राम लोड)
अनाज आकार 2~10μm
रासायनिक शुद्धता 99.99995%
ताप की गुंजाइश 640 जे·किग्रा-1·के-1
उर्ध्वपातन तापमान 2700℃
आनमनी सार्मथ्य 415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट
यंग मापांक 430 जीपीए 4पीटी बेंड, 1300℃
ऊष्मीय चालकता 300W·m-1·K-1
थर्मल विस्तार (सीटीई) 4.5×10-6K-1


वीटेक सेमीकंडक्टर प्रोडक्शन शॉप


हॉट टैग: ईपीआई के लिए SiC लेपित ग्रेफाइट बैरल ससेप्टर, चीन, निर्माता, आपूर्तिकर्ता, फैक्टरी, अनुकूलित, खरीदें, उन्नत, टिकाऊ, चीन में निर्मित
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