सिलिकॉन कार्बाइड लेपित एपी ससेप्टर

सेमीकंडक्टर एपिटैक्सी गैस चरण, तरल चरण या आणविक बीम जमाव जैसी विधियों द्वारा सब्सट्रेट सामग्री की सतह पर एक विशिष्ट जाली संरचना के साथ एक पतली फिल्म के विकास को संदर्भित करता है, ताकि नई विकसित पतली फिल्म परत (एपिटैक्सियल परत) हो सब्सट्रेट के समान या समान जाली संरचना और अभिविन्यास। 

सेमीकंडक्टर निर्माण में एपिटैक्सी तकनीक महत्वपूर्ण है, विशेष रूप से उच्च गुणवत्ता वाली पतली फिल्मों की तैयारी में, जैसे एकल क्रिस्टल परतें, हेटरोस्ट्रक्चर और उच्च प्रदर्शन वाले उपकरणों के निर्माण के लिए उपयोग की जाने वाली क्वांटम संरचनाएं।

एपि ससेप्टर एक प्रमुख घटक है जिसका उपयोग एपिटैक्सियल विकास उपकरण में सब्सट्रेट का समर्थन करने के लिए किया जाता है और इसका व्यापक रूप से सिलिकॉन एपिटेक्सी में उपयोग किया जाता है। एपिटैक्सियल पेडस्टल की गुणवत्ता और प्रदर्शन सीधे एपिटैक्सियल परत की विकास गुणवत्ता को प्रभावित करते हैं और अर्धचालक उपकरणों के अंतिम प्रदर्शन में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं।

VeTek सेमीकंडक्टर ने CVD विधि द्वारा SGL ग्रेफाइट की सतह पर SIC कोटिंग की एक परत लेपित की, और उच्च तापमान प्रतिरोध, ऑक्सीकरण प्रतिरोध, संक्षारण प्रतिरोध और थर्मल एकरूपता जैसे गुणों के साथ SiC लेपित एपी रिसेप्टर प्राप्त किया।

एक विशिष्ट बैरल रिएक्टर में, SiC लेपित एपी ससेप्टर में एक बैरल संरचना होती है। SiC लेपित एपी ससेप्टर का निचला भाग घूमने वाले शाफ्ट से जुड़ा होता है। एपिटैक्सियल विकास प्रक्रिया के दौरान, यह बारी-बारी से दक्षिणावर्त और वामावर्त घुमाव को बनाए रखता है। प्रतिक्रिया गैस नोजल के माध्यम से प्रतिक्रिया कक्ष में प्रवेश करती है, जिससे गैस प्रवाह प्रतिक्रिया कक्ष में काफी समान वितरण बनाता है, और अंत में एक समान एपिटैक्सियल परत वृद्धि बनाता है।

SiC लेपित ग्रेफाइट के द्रव्यमान परिवर्तन और ऑक्सीकरण समय के बीच संबंध

प्रकाशित अध्ययनों के नतीजे बताते हैं कि 1400℃ और 1600℃ पर, SiC लेपित ग्रेफाइट का द्रव्यमान बहुत कम बढ़ता है। यानी SiC लेपित ग्रेफाइट में मजबूत एंटीऑक्सीडेंट क्षमता होती है। इसलिए, SiC लेपित एपी ससेप्टर अधिकांश एपिटैक्सियल भट्टियों में लंबे समय तक काम कर सकता है। यदि आपकी अधिक आवश्यकताएं या अनुकूलित आवश्यकताएं हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें। हम सर्वोत्तम गुणवत्ता वाले SiC लेपित एपी ससेप्टर समाधान प्रदान करने के लिए प्रतिबद्ध हैं।

CVD SiC कोटिंग के बुनियादी भौतिक गुण

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