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SiC प्रक्रिया ट्यूब

SiC प्रक्रिया ट्यूब

VeTek सेमीकंडक्टर सेमीकंडक्टर निर्माण के लिए उच्च प्रदर्शन वाली SiC प्रोसेस ट्यूब प्रदान करता है। हमारे SiC प्रक्रिया ट्यूब ऑक्सीकरण, प्रसार प्रक्रियाओं में उत्कृष्टता प्राप्त करते हैं। बेहतर गुणवत्ता और शिल्प कौशल के साथ, ये ट्यूब कुशल अर्धचालक प्रसंस्करण के लिए उच्च तापमान स्थिरता और तापीय चालकता प्रदान करते हैं। हम प्रतिस्पर्धी मूल्य निर्धारण की पेशकश करते हैं और चीन में आपका दीर्घकालिक भागीदार बनना चाहते हैं।

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SiC कैंटिलीवर पैडल

SiC कैंटिलीवर पैडल

VeTek सेमीकंडक्टर का SiC कैंटिलीवर पैडल एक बहुत ही उच्च प्रदर्शन वाला उत्पाद है। हमारे SiC कैंटिलीवर पैडल का उपयोग आमतौर पर सिलिकॉन वेफर्स, रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) और अर्धचालक विनिर्माण प्रक्रियाओं में अन्य प्रसंस्करण प्रक्रियाओं को संभालने और समर्थन करने के लिए गर्मी उपचार भट्टियों में किया जाता है। SiC सामग्री की उच्च तापमान स्थिरता और उच्च तापीय चालकता अर्धचालक प्रसंस्करण प्रक्रिया में उच्च दक्षता और विश्वसनीयता सुनिश्चित करती है। हम प्रतिस्पर्धी कीमतों पर उच्च गुणवत्ता वाले उत्पाद उपलब्ध कराने के लिए प्रतिबद्ध हैं और चीन में आपका दीर्घकालिक भागीदार बनने के लिए तत्पर हैं।

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SiC कोटिंग सुसेप्टर

SiC कोटिंग सुसेप्टर

वेटेक सेमीकंडक्टर सीवीडी सीआईसी कोटिंग और सीवीडी टीएसी कोटिंग के अनुसंधान और विकास और औद्योगीकरण पर केंद्रित है। उदाहरण के तौर पर SiC कोटिंग ससेप्टर को लेते हुए, उत्पाद को उच्च परिशुद्धता, घने CVD SIC कोटिंग, उच्च तापमान प्रतिरोध और मजबूत संक्षारण प्रतिरोध के साथ अत्यधिक संसाधित किया जाता है। हमसे पूछताछ का स्वागत है।

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SiC क्रिस्टल ग्रोथ के लिए CVD SiC ब्लॉक

SiC क्रिस्टल ग्रोथ के लिए CVD SiC ब्लॉक

VeTek सेमीकंडक्टर CVD-SiC थोक स्रोतों, CVD SiC कोटिंग्स और CVD TaC कोटिंग्स के अनुसंधान और विकास और औद्योगीकरण पर केंद्रित है। एक उदाहरण के रूप में SiC क्रिस्टल ग्रोथ के लिए CVD SiC ब्लॉक लेते हुए, उत्पाद प्रसंस्करण तकनीक उन्नत है, विकास दर तेज है, उच्च तापमान प्रतिरोध और संक्षारण प्रतिरोध मजबूत है। पूछताछ करने के लिए आपका स्वागत है.

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SiC क्रिस्टल ग्रोथ नई तकनीक

SiC क्रिस्टल ग्रोथ नई तकनीक

रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) द्वारा निर्मित वेटेक सेमीकंडक्टर के अति-उच्च शुद्धता वाले सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) का उपयोग भौतिक वाष्प परिवहन (PVT) द्वारा सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल को बढ़ाने के लिए स्रोत सामग्री के रूप में किया जा सकता है। SiC क्रिस्टल ग्रोथ नई तकनीक में, स्रोत सामग्री को एक क्रूसिबल में लोड किया जाता है और एक बीज क्रिस्टल पर उर्ध्वपातित किया जाता है। SiC क्रिस्टल को उगाने के स्रोत के रूप में सामग्री को रीसायकल करने के लिए छोड़े गए CVD-SiC ब्लॉकों का उपयोग करें। हमारे साथ साझेदारी स्थापित करने के लिए आपका स्वागत है।

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SiC शावर हेड

SiC शावर हेड

VeTek सेमीकंडक्टर चीन में एक अग्रणी SiC शावर हेड निर्माता और प्रर्वतक है। हम कई वर्षों से SiC सामग्री में विशेषज्ञता प्राप्त कर रहे हैं। SiC शावर हेड को इसकी उत्कृष्ट थर्मोकेमिकल स्थिरता, उच्च यांत्रिक शक्ति और प्लाज्मा क्षरण के प्रतिरोध के कारण फोकसिंग रिंग सामग्री के रूप में चुना गया है। .हम चीन में आपके दीर्घकालिक भागीदार बनने की आशा रखते हैं।

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