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उद्योग समाचार

3C SiC का विकास इतिहास

निरंतर तकनीकी प्रगति और गहन तंत्र अनुसंधान के माध्यम से, 3C-SiC हेटेरोएपिटैक्सियल तकनीक से सेमीकंडक्टर उद्योग में अधिक महत्वपूर्ण भूमिका निभाने और उच्च दक्षता वाले इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के विकास को बढ़ावा देने की उम्मीद है।

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एएलडी परमाणु परत जमाव विधि

स्थानिक एएलडी, स्थानिक रूप से पृथक परमाणु परत जमाव। वेफर विभिन्न स्थितियों के बीच चलता है और प्रत्येक स्थिति में विभिन्न पूर्ववर्तियों के संपर्क में आता है। नीचे दिया गया आंकड़ा पारंपरिक एएलडी और स्थानिक रूप से पृथक एएलडी के बीच तुलना है।

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टैंटलम कार्बाइड प्रौद्योगिकी में सफलता, SiC एपिटैक्सियल प्रदूषण 75% कम हुआ?

हाल ही में, जर्मन अनुसंधान संस्थान फ्राउनहोफर आईआईएसबी ने टैंटलम कार्बाइड कोटिंग तकनीक के अनुसंधान और विकास में एक सफलता हासिल की है, और एक स्प्रे कोटिंग समाधान विकसित किया है जो सीवीडी जमाव समाधान की तुलना में अधिक लचीला और पर्यावरण के अनुकूल है, और इसका व्यावसायीकरण किया गया है।

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सेमीकंडक्टर उद्योग में 3डी प्रिंटिंग तकनीक का खोजपूर्ण अनुप्रयोग

तेजी से तकनीकी विकास के युग में, उन्नत विनिर्माण प्रौद्योगिकी के एक महत्वपूर्ण प्रतिनिधि के रूप में 3डी प्रिंटिंग, धीरे-धीरे पारंपरिक विनिर्माण का चेहरा बदल रही है। प्रौद्योगिकी की निरंतर परिपक्वता और लागत में कमी के साथ, 3डी प्रिंटिंग तकनीक ने एयरोस्पेस, ऑटोमोबाइल विनिर्माण, चिकित्सा उपकरण और वास्त......

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सिलिकॉन (एसआई) एपिटेक्सी तैयारी तकनीक

एकल क्रिस्टल सामग्री अकेले विभिन्न अर्धचालक उपकरणों के बढ़ते उत्पादन की जरूरतों को पूरा नहीं कर सकती है। 1959 के अंत में, एकल क्रिस्टल सामग्री विकास तकनीक की एक पतली परत - एपिटैक्सियल ग्रोथ विकसित की गई थी।

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8-इंच सिलिकॉन कार्बाइड सिंगल क्रिस्टल ग्रोथ फर्नेस तकनीक पर आधारित

उच्च तापमान, उच्च आवृत्ति, उच्च शक्ति और उच्च वोल्टेज उपकरण बनाने के लिए सिलिकॉन कार्बाइड आदर्श सामग्रियों में से एक है। उत्पादन दक्षता में सुधार और लागत कम करने के लिए, बड़े आकार के सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट की तैयारी एक महत्वपूर्ण विकास दिशा है।

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