क्षैतिज SiC वेफर कैरियर

वीटेक सेमीकंडक्टरक्षैतिज SiC वेफर कैरियर/नाव में अत्यधिक उच्च गलनांक (लगभग 2700°C) होता है, जो इसे सक्षम बनाता हैक्षैतिज SiC वेफर कैरियर/विरूपण या गिरावट के बिना उच्च तापमान वाले वातावरण में स्थिर रूप से काम करने के लिए नाव। यह सुविधा अर्धचालक निर्माण प्रक्रिया में विशेष रूप से महत्वपूर्ण है, विशेष रूप से उच्च तापमान एनीलिंग या रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) जैसी प्रक्रियाओं में।

Theक्षैतिज SiC वेफर कैरियर/नाव विशेष रूप से वेफर वाहकों को ले जाने की प्रक्रिया में निम्नलिखित भूमिका निभाती है:

सिलिकॉन वेफर ले जाने और समर्थन: क्षैतिज SiC वेफर नाव का उपयोग मुख्य रूप से सेमीकंडक्टर निर्माण के दौरान सिलिकॉन वेफर्स को ले जाने और समर्थन करने के लिए किया जाता है। यह कई सिलिकॉन वेफर्स को एक साथ मजबूती से व्यवस्थित कर सकता है ताकि यह सुनिश्चित किया जा सके कि वे पूरी प्रसंस्करण प्रक्रिया के दौरान अच्छी स्थिति और स्थिरता में रहें।

एकसमान ताप और शीतलन: SiC की उच्च तापीय चालकता के कारण, वेफर नाव प्रभावी ढंग से सभी सिलिकॉन वेफर्स में समान रूप से गर्मी वितरित कर सकती है। यह उच्च तापमान प्रसंस्करण के दौरान सिलिकॉन वेफर्स के एक समान ताप या शीतलन को प्राप्त करने में मदद करता है, जिससे प्रसंस्करण प्रक्रिया की स्थिरता और विश्वसनीयता सुनिश्चित होती है।

संदूषण रोकें: SiC की रासायनिक स्थिरता इसे उच्च तापमान और संक्षारक गैस वातावरण में अच्छा प्रदर्शन करने में सक्षम बनाती है, जिससे सिलिकॉन वेफर्स का संभावित संदूषकों या अभिकारकों के संपर्क में कमी आती है, जिससे सिलिकॉन वेफर्स की शुद्धता और गुणवत्ता सुनिश्चित होती है।

वास्तव में, क्षैतिज SiC वेफर नाव अपनी अनूठी उत्पाद विशेषताओं के कारण उपरोक्त भूमिका निभा सकती है:

उत्कृष्ट रासायनिक स्थिरता: SiC सामग्री में विभिन्न प्रकार के रासायनिक मीडिया के लिए उत्कृष्ट संक्षारण प्रतिरोध है। संक्षारक गैसों या तरल पदार्थों के प्रसंस्करण की प्रक्रिया में, SiC वेफर नाव प्रभावी रूप से रासायनिक संक्षारण का विरोध कर सकती है और सिलिकॉन वेफर्स को संदूषण या क्षति से बचा सकती है।

उच्च तापीय चालकता: SiC की उच्च तापीय चालकता वाहक प्रक्रिया में गर्मी को समान रूप से वितरित करने और गर्मी संचय को कम करने में मदद करती है। यह सटीक प्रसंस्करण के दौरान तापमान नियंत्रण की सटीकता में सुधार कर सकता है और सिलिकॉन वेफर्स की एक समान हीटिंग या शीतलन सुनिश्चित कर सकता है।

कम तापीय विस्तार गुणांक: SiC सामग्री के कम तापीय विस्तार गुणांक का मतलब है कि तापमान परिवर्तन के दौरान SiC वेफर नाव का आयामी परिवर्तन बहुत छोटा है। यह उच्च तापमान प्रसंस्करण के दौरान आयामी स्थिरता बनाए रखने में मदद करता है और थर्मल विस्तार के कारण सिलिकॉन वेफर्स के विरूपण या स्थितिगत विस्थापन को रोकता है।

क्षैतिज SiC वेफर कैरियर के बुनियादी भौतिक गुण:

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