मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन के लिए क्रूसिबल

CZ (Czochralski) विधि में, एक मोनोक्रिस्टलाइन बीज को पिघले हुए पॉलीक्रिस्टलाइन सिलिकॉन के संपर्क में लाकर एक एकल क्रिस्टल उगाया जाता है। बीज को धीरे-धीरे घुमाते हुए ऊपर की ओर खींचा जाता है। इस प्रक्रिया में, बड़ी संख्या में ग्रेफाइट भागों का उपयोग किया जाता है, जिससे यह ऐसी विधि बन जाती है जो सिलिकॉन सेमीकंडक्टर निर्माण में सबसे अधिक मात्रा में ग्रेफाइट घटकों को नियोजित करती है।

नीचे दी गई तस्वीर सीजेड विधि पर आधारित सिलिकॉन सिंगल-क्रिस्टल विनिर्माण भट्टी का एक योजनाबद्ध प्रतिनिधित्व प्रदान करती है।

मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन के लिए वेटेक सेमीकंडक्टर का क्रूसिबल सेमीकंडक्टर क्रिस्टल के सटीक गठन के लिए महत्वपूर्ण एक स्थिर और नियंत्रित वातावरण प्रदान करता है। वे Czochralski प्रक्रिया और फ्लोट-ज़ोन विधियों जैसी उन्नत तकनीकों का उपयोग करके मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन सिल्लियां उगाने में सहायक हैं, जो इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए उच्च गुणवत्ता वाली सामग्री के उत्पादन के लिए महत्वपूर्ण हैं।

उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता, रासायनिक संक्षारण प्रतिरोध और न्यूनतम थर्मल विस्तार के लिए इंजीनियर किए गए, ये क्रूसिबल स्थायित्व और मजबूती सुनिश्चित करते हैं। इन्हें संरचनात्मक अखंडता या प्रदर्शन से समझौता किए बिना कठोर रासायनिक वातावरण का सामना करने के लिए डिज़ाइन किया गया है, जिससे क्रूसिबल के जीवनकाल का विस्तार होता है और लंबे समय तक उपयोग के दौरान लगातार प्रदर्शन बनाए रखा जाता है।

मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन के लिए वेटेक सेमीकंडक्टर क्रूसिबल की अनूठी संरचना उन्हें उच्च तापमान प्रसंस्करण की चरम स्थितियों को सहन करने में सक्षम बनाती है। यह असाधारण तापीय स्थिरता और शुद्धता की गारंटी देता है, जो अर्धचालक प्रसंस्करण के लिए महत्वपूर्ण हैं। संरचना कुशल गर्मी हस्तांतरण की सुविधा भी देती है, समान क्रिस्टलीकरण को बढ़ावा देती है और सिलिकॉन पिघल के भीतर थर्मल ग्रेडिएंट को कम करती है।

हमारे SiC कोटिंग सुसेप्टर के लाभ:

आधार सामग्री संरक्षण: सीवीडी SiC कोटिंग एपिटैक्सियल प्रक्रिया के दौरान एक सुरक्षात्मक परत के रूप में कार्य करती है, जो आधार सामग्री को बाहरी वातावरण के कारण होने वाले क्षरण और क्षति से प्रभावी ढंग से बचाती है। यह सुरक्षात्मक उपाय उपकरण की सेवा जीवन को काफी हद तक बढ़ा देता है।

उत्कृष्ट तापीय चालकता: हमारी सीवीडी SiC कोटिंग में उत्कृष्ट तापीय चालकता है, जो आधार सामग्री से कोटिंग सतह तक गर्मी को कुशलतापूर्वक स्थानांतरित करती है। यह एपिटेक्सी के दौरान थर्मल प्रबंधन दक्षता को बढ़ाता है, जिससे उपकरण के लिए इष्टतम ऑपरेटिंग तापमान सुनिश्चित होता है।

बेहतर फिल्म गुणवत्ता: सीवीडी SiC कोटिंग एक सपाट और समान सतह प्रदान करती है, जो फिल्म के विकास के लिए एक आदर्श आधार बनाती है। यह जाली बेमेल से उत्पन्न दोषों को कम करता है, एपिटैक्सियल फिल्म की क्रिस्टलीयता और गुणवत्ता को बढ़ाता है, और अंततः इसके प्रदर्शन और विश्वसनीयता में सुधार करता है।

अपनी एपिटैक्सियल वेफर उत्पादन आवश्यकताओं के लिए हमारे SiC कोटिंग ससेप्टर को चुनें, और बढ़ी हुई सुरक्षा, बेहतर तापीय चालकता और बेहतर फिल्म गुणवत्ता से लाभ उठाएं। सेमीकंडक्टर उद्योग में अपनी सफलता के लिए वीटेक सेमीकंडक्टर के नवोन्मेषी समाधानों पर भरोसा करें।

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